Документация
Транзистор IRF9520PBF
У поставщика
У поставщиков
129 шт.
Норм. уп.: 50
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 58,92 |
| от 30 | 55,12 |
| от 60 | 53,22 |
| от 120 | 50,56 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:129 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 77,46 |
| от 16 | 76,07 |
| от 32 | 74,22 |
| от 100 | 71,61 |
| от 150 | 68,38 |
Описание
Транзистор IRF9520PBF от Vishay — P-канальный MOSFET в корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия. Выдерживает напряжение до -100 В и импульсный ток до -27 А, имеет малое время переключения. Подходит для импульсных источников питания, силовой электроники и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Без свинца | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Тип. время спада | 25ns |
| Тип. время нарастания | 29ns |
| Импульсный ток стока | -27A |
| Gate drain charge max | 9.0nC |
| Заряд затвора макс. | 18nC |
| Gate source charge max | 3.0nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.40 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. напряжение сток-исток | -100V |
| Body diode pulsed current | -27A |
| Типовая входная емкость | 390pF |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Maximum power dissipation | 60W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.5 V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Drain source on resistance | 0.60Ω |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Тип. выходная емкость | 170pF |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Turn on delay time typical | 9.6ns |
| Энергия лавины | 6.0 mJ |
| Turn off delay time typical | 21ns |
| Длительный ток стока 25°C | -6.8A |
| Forward transconductance min | 2.0S |
| Repetitive avalanche current | -6.8A |
| Body diode continuous current | -6.8A |
| Непрерывный ток стока 100°C | -4.8A |
| On resistance test conditions | V_GS=-10V, I_D=-4.1A |
| Энергия одиноч. импульса | 300 mJ |
| Body diode forward voltage max | -6.3V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -100V |
| Body diode reverse recovery time max | 200ns |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Reverse transfer capacitance typical | 45pF |
| Body diode reverse recovery charge max | 0.66μC |
| Thermal resistance case to sink typical | 0.50°C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 2.5°C/W |
| Body diode reverse recovery time typical | 98ns |
| Body diode reverse recovery charge typical | 0.33μC |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?