Документация
Транзистор IRF9520PBF
У поставщика
У поставщиков
69 шт.
Норм. уп.: 50
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 63,02 |
| от 30 | 58,96 |
| от 60 | 56,93 |
| от 120 | 54,08 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:69 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 83,42 |
| от 16 | 81,93 |
| от 32 | 79,93 |
| от 100 | 77,13 |
| от 150 | 73,65 |
Описание
Транзистор IRF9520PBF от Vishay — P-канальный MOSFET в корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия. Выдерживает напряжение до -100 В и импульсный ток до -27 А, имеет малое время переключения. Подходит для импульсных источников питания, силовой электроники и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 25ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 29ns |
| Описание | P-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRF9520PBF |
| Channel type | P-Channel |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Тип. время спада | 25ns |
| Заряд сток-затвор | 9.0nC |
| Вх. емкость | 390pF |
| Тип. время нарастания | 29ns |
| Полный заряд затвора | 18nC |
| Body diode voltage | -6.3V |
| Заряд затвор-исток | 3.0nC |
| Выходная емкость | 170pF |
| Время задержки включения | 9.6ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 21ns |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Импульсный ток стока | -27A |
| Gate drain charge max | 9.0nC |
| Заряд затвора макс. | 18nC |
| Gate source charge max | 3.0nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.40 W/°C |
| Power dissipation tc25 | 60W |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. напряжение сток-исток | -100V |
| Прямая крутизна | 2.0S |
| Switching test condition | VDD=-50V, ID=-6.8A, Rg=18Ω, RD=7.1Ω |
| Body diode pulsed current | -27A |
| Типовая входная емкость | 390pF |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Maximum power dissipation | 60W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.5 V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Capacitance test condition | VGS=0V, VDS=-25V, f=1.0MHz |
| Drain source on resistance | 0.60Ω |
| Gate charge test condition | ID=-6.8A, VDS=-80V, VGS=-10V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Тип. выходная емкость | 170pF |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Turn on delay time typical | 9.6ns |
| Энергия лавины | 6.0 mJ |
| Turn off delay time typical | 21ns |
| Длительный ток стока 25°C | -6.8A |
| Forward transconductance min | 2.0S |
| Pulsed diode forward current | -27A |
| Repetitive avalanche current | -6.8A |
| Обратная проходная емкость | 45pF |
| Thermal resistance case sink | 0.50°C/W |
| Body diode continuous current | -6.8A |
| Непрерывный ток стока 100°C | -4.8A |
| Continuous drain current tc25 | -6.8A |
| On resistance test conditions | V_GS=-10V, I_D=-4.1A |
| Энергия одиноч. импульса | 300 mJ |
| Body diode forward voltage max | -6.3V |
| Continuous drain current tc100 | -4.8A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -100V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Body diode reverse recovery time | 200ns |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
| Body diode voltage test condition | TJ=25°C, IS=-6.8A, VGS=0V |
| Gate source threshold voltage max | -4.0V |
| Gate source threshold voltage min | -2.0V |
| Body diode reverse recovery charge | 0.66µC |
| Gate source leakage test condition | VGS=±20V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Body diode reverse recovery time max | 200ns |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Reverse transfer capacitance typical | 45pF |
| Zero gate voltage drain current tc25 | -100µA |
| Continuous source drain diode current | -6.8A |
| Drain source voltage temp coefficient | 0.10V/°C |
| Zero gate voltage drain current tc150 | -500µA |
| Body diode reverse recovery charge max | 0.66μC |
| Forward transconductance test condition | VDS=-50V, ID=-4.1A |
| Thermal resistance case to sink typical | 0.50°C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 2.5°C/W |
| Body diode reverse recovery time typical | 98ns |
| Drain source on resistance test condition | VGS=-10V, ID=-4.1A |
| Body diode reverse recovery charge typical | 0.33μC |
| Body diode reverse recovery test condition | TJ=25°C, IF=-6.8A, dI/dt=100A/µs |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
| Gate source threshold voltage test condition | VDS=VGS, ID=-250µA |
| Drain source breakdown voltage test condition | VGS=0V, ID=-250µA |
| Zero gate voltage drain current test condition | VDS=-100V, VGS=0V |
| Тип транзистора | P-Channel MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?