Документация
Описание
Транзистор Infineon IRF9520NPBF — P-канальный силовой MOSFET в корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия. Выполнен по технологии HEXFET, рассчитан на импульсный ток до -27 А и рассеиваемую мощность 48 Вт. Применяется в импульсных источниках питания, силовых ключах и цепях управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Power MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | THT |
| Технология | HEXFET |
| Артикул | IRF9520NPBF |
| Fall time tf | 31 ns |
| Rise time tr | 47 ns |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Размеры упаковки | 10.54mm x 3.78mm (0.415in x 0.149in) |
| Total gate charge qg | 27 nC |
| Avalanche current iar | -4.0A |
| Gate drain charge qgd | 15 nC |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Gate source charge qgs | 5.0 nC |
| Input capacitance ciss | 350 pF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.32 W/°C |
| Output capacitance coss | 110 pF |
| Power dissipation pd 25c | 48W |
| Pulsed drain current idm | -27A |
| Turn on delay time td on | 14 ns |
| Diode forward voltage vsd | -1.6V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.0 V/ns |
| Pulsed source current ism | -27A |
| Reverse recovery time trr | 100 ns (typ), 150 ns (max) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Turn off delay time td off | 28 ns |
| Gate source voltage vgs max | ±20V |
| Reverse recovery charge qrr | 420 nC (typ), 630 nC (max) |
| Continuous source current is | -6.8A |
| Drain source voltage vds max | -100V |
| Forward transconductance gfs | 1.4 S |
| Internal drain inductance ld | 4.5 nH |
| Gate threshold voltage vgs th | -2.0V to -4.0V |
| Internal source inductance ls | 7.5 nH |
| Continuous drain current id 25c | -6.8A |
| Repetitive avalanche energy ear | 4.8 mJ |
| Continuous drain current id 100c | -4.8A |
| Gate source leakage current igss | 100 nA |
| Reverse transfer capacitance crss | 70 pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 140 mJ |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.10 V/°C |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | -100V |
| Drain source leakage current idss 25c | -25 µA |
| Thermal resistance case to sink rthcs | 0.50 °C/W |
| Drain source leakage current idss 150c | -250 µA |
| Static drain source on resistance rds on | 0.48Ω |
| Thermal resistance junction to case rthjc | 3.1 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62 °C/W |