Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
550 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 136,53 |
| от 18 | 127,21 |
| от 36 | 119,61 |
| от 100 | 113,94 |
| от 150 | 109,71 |
Склад 12
В наличии:150 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 223,95 |
| от 20 | 223,95 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Vishay. Рабочее напряжение до 100 В, ток до 4 А, корпус D2Pak (TO-263). Подходит для цепей управления питанием и защиты от обратной полярности в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 17ns |
| Время нарастания | 27ns |
| Артикул | IRF9510SPBF |
| Channel type | P-Channel |
| Без галогенов | Да |
| Конфигурация | Single |
| Тип. время спада | 17ns |
| Тип. время нарастания | 27ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Лавинный ток | -4.0A |
| Заряд сток-затвор | 4.1nC |
| Вх. емкость | 200pF |
| Макс. R вкл. | 1.2Ω @ Vgs=-10V, Id=-2.4A |
| Полный заряд затвора | 8.7nC |
| Body diode voltage | -5.5V |
| Заряд затвор-исток | 2.2nC |
| Выходная емкость | 94pF |
| Время задержки включения | 10ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 15ns |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Импульсный ток стока | -16A |
| Gate drain charge max | 4.1nC |
| Тип. входная емкость | 200pF |
| Заряд затвора макс. | 8.7nC |
| Body diode voltage max | 5.5V |
| Gate source charge max | 2.2nC |
| Выходная емкость тип. | 94pF |
| Power dissipation case | 43W @ Tc=25°C |
| Время задержки вкл. тип. | 10ns |
| Время задержки выкл. тип. | 15ns |
| Voltage gate source max | ±20V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Continuous drain current | -4.0A @ Tc=25°C, -2.8A @ Tc=100°C |
| Прямая крутизна | 1.0S (min) @ Vds=-50V, Id=-2.4A |
| Voltage drain source max | -100V |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.5V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Max power dissipation case | 43W |
| Пиковая температура пайки | 300°C |
| Linear derating factor case | 0.29W/°C |
| Power dissipation pcb mount | 3.7W @ Ta=25°C |
| Энергия лавины | 4.3mJ |
| Длительный ток стока 25°C | -4.0A |
| Pulsed diode forward current | -16A |
| Обратная проходная емкость | 18pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK |
| Непрерывный ток стока 100°C | -2.8A |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Энергия одиноч. импульса | 200mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -100V |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| Max power dissipation pcb mount | 3.7W |
| Body diode reverse recovery time | 82ns (typ), 160ns (max) |
| Drain source on state resistance | 1.2Ω |
| Linear derating factor pcb mount | 0.025W/°C |
| Обр. проходная емкость тип. | 18pF |
| Gate source threshold voltage max | -4.0V |
| Gate source threshold voltage min | -2.0V |
| Body diode reverse recovery charge | 0.15μC (typ), 0.30μC (max) |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 3.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current 25c | -100μA |
| Body diode reverse recovery time max | 160ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 82ns |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +175°C |
| Zero gate voltage drain current 150c | -500μA |
| Continuous source drain diode current | -4.0A |
| Body diode reverse recovery charge max | 0.30μC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 0.15μC |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 3.5°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 40°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount max | 40°C/W |
| Drain source breakdown voltage temperature coefficient | -0.091V/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?