Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
260 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:260 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 85,63 |
| от 16 | 84,11 |
| от 31 | 82,10 |
| от 50 | 79,27 |
| от 150 | 75,73 |
Описание
Транзистор полевой P-канальный MOSFET от Vishay. Работает при напряжении до 100 В, токе до 4 А и рассеивает мощность 20 Вт. Выполнен в стандартном корпусе TO-220AB. Подходит для схем управления нагрузкой, источников питания и силовых ключей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Серия | IRF9510, SiHF9510 |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 17ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 15ns |
| Описание | P-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRF9510PBF |
| Channel type | P-Channel |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Заряд сток-затвор | 4.1nC |
| Вх. емкость | 200pF |
| Полный заряд затвора | 8.7nC |
| Body diode voltage | -5.5V |
| Заряд затвор-исток | 2.2nC |
| Выходная емкость | 94pF |
| Время задержки включения | 10ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to +175°C |
| Время задержки выключения | 17ns |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Dvds dtj coefficient | 0.091V/°C |
| Импульсный ток стока | -16A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.29W/°C |
| Power dissipation tc25 | 43W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Peak diode recovery dvdt | -5.5V/ns |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Drain source on resistance | 1.2Ω |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 4.3mJ |
| Forward transconductance min | 1.0S |
| Pulsed diode forward current | -16A |
| Repetitive avalanche current | -4.0A |
| Обратная проходная емкость | 18pF |
| Thermal resistance case sink | 0.50°C/W |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB |
| Continuous drain current tc25 | -4.0A |
| Энергия одиноч. импульса | 200mJ |
| Continuous drain current tc100 | -2.8A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -100V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Body diode reverse recovery time | 82ns typ, 160ns max |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 3.5°C/W |
| Gate source threshold voltage max | -4.0V |
| Gate source threshold voltage min | -2.0V |
| Body diode reverse recovery charge | 0.15µC typ, 0.30µC max |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Zero gate voltage drain current tc25 | -100µA |
| Continuous source drain diode current | -4.0A |
| Zero gate voltage drain current tc150 | -500µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?