Документация
Транзистор IRF9310TRPBF
В наличии
На своём складе
1 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 45,70 |
| от 20 | 44,42 |
| от 40 | 43,14 |
| от 80 | 42,19 |
Описание
Транзистор IRF9310TRPBF от Infineon — мощный P-канальный MOSFET. Работает при напряжении до 30 В и токе до 20 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Корпус SO-8. Применяется в цепях управления питанием и защите от обратной полярности в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Без свинца | Да |
| Bromide free | Да |
| Без галогенов | Да |
| Тип упаковки | SO-8 |
| Тип. время спада | 70ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип. время нарастания | 47ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance typ | 2.8Ω |
| Импульсный ток стока | -160A |
| Avalanche current max | -16A |
| Тип. заряд затвор-сток | 28nC |
| Тип. входная емкость | 5250pF |
| Мощн. рас. 25°C | 2.5W |
| Power dissipation 70c | 1.6W |
| Тип. заряд затвор-исток | 17nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.02W/°C |
| Выходная емкость тип. | 1300pF |
| Время задержки вкл. тип. | 25ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 65ns |
| Макс. напряжение сток-исток | -30V |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Pulsed source current max | -160A |
| Макс. время обрат. восстановления | 107ns |
| Тип. время восст. | 71ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Total gate charge 10v max | 165nC |
| Total gate charge 10v typ | 110nC |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.3V |
| Тип. пороговое Uзи | -1.8V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Total gate charge 4.5v typ | 58nC |
| Reverse recovery charge max | 18nC |
| Тип. заряд восст. | 12nC |
| Длительный ток стока 25°C | -20A |
| Continuous drain current 70c | -16A |
| Forward transconductance typ | 39S |
| Continuous source current max | -2.5A |
| Gate source forward leakage max | -100nA |
| Gate source reverse leakage max | 100nA |
| Обр. проходная емкость тип. | 880pF |
| Single pulse avalanche energy max | 630mJ |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -30V |
| Gate threshold voltage coefficient | -5.8mV/°C |
| Drain source leakage current 25c max | -1.0µA |
| Drain source leakage current 125c max | -150µA |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.020V/°C |
| Static drain source on resistance 10v max | 4.6mΩ |
| Static drain source on resistance 10v typ | 3.9mΩ |
| Static drain source on resistance 4.5v max | 6.8mΩ |
| Static drain source on resistance 4.5v typ | 5.8mΩ |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 50°C/W |
| Thermal resistance junction to drain lead max | 20°C/W |