Документация
Транзистор IRF8736TRPBF
У поставщика
У поставщиков
21 734 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:21 727 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 34,24 |
| от 184 | 31,67 |
| от 368 | 29,96 |
| от 735 | 28,45 |
| от 1 469 | 27,44 |
Склад 12
В наличии:7 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 250 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 31,05 |
| от 25 | 30,22 |
| от 250 | 30,07 |
Описание
Транзистор IRF8736TRPBF производства Infineon — это мощный N-канальный MOSFET, предназначенный для высокоэффективных схем управления питанием. Компонент оптимизирован для работы в условиях низкого напряжения и отличается малым сопротивлением открытого канала, что минимизирует потери проводимости. Благодаря высокой скорости переключения и низкому заряду затвора, транзистор широко применяется в DC/DC-преобразователях, синхронных выпрямителях и силовых модулях.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Diode | Прямое напряжение: 1.0V max at 14.4A; Время обратного восстановления: Max: 24ns; Typ: 16ns; Заряд обратного восстановления: Max: 29nC; Typ: 19nC |
| Мощность, Вт | 70 |
| Тип. заряд затвора | 17nC |
| Rg max | 2.2Ohm |
| Rg typ | 1.3Ohm |
| Tf тип. | 7.5ns |
| Tr тип. | 15ns |
| Ток, А | 18 |
| Eas max | 126mJ |
| Gfs min | 52S |
| Iar max | 14.4A |
| Корпус | SO-8 |
| Qgd тип. | 5.8nC |
| Qrr max | 29nC |
| Qrr тип. | 19nC |
| Qsw typ | 7.7nC |
| Макс. время обратного восстановления | 24ns |
| Trr тип. | 16ns |
| Напряжение, В | 30 |
| Vsd макс. | 1.0V |
| Тип. Ciss | 2315pF |
| Coss тип. | 449pF |
| Тип. Crss | 219pF |
| Тип монтажа | SMD |
| Qgs1 typ | 4.4nC |
| Qgs2 typ | 1.9nC |
| Qoss typ | 7.1nC |
| V gs max | +/-20V |
| Avalanche | Лавинный ток: 14.4A max; Энергия одиноч. импульса: 126mJ max |
| I dss max | 1.0uA |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 8 |
| Qg max nc | 26nC |
| Qg typ nc | 17nC |
| Qgodr typ | 4.9nC |
| Td(вкл) тип. | 12ns |
| V dss max | 30V |
| Bv dss min | 30V |
| Ism pulsed | 144A |
| Сопротивление | Gate resistance: Max: 2.2Ω; Typ: 1.3Ω; Drain source on resistance at vgs 10v id 18a: Max: 4.8mΩ; Typ: 3.9mΩ; Drain source on resistance at vgs 4 5v id 14 4a: Max: 6.8mΩ; Typ: 5.5mΩ |
| Td(выкл) тип. | 13ns |
| Ёмкость | Вх. емкость: 2315pF typ at 1MHz, V_DS=15V; Выходная емкость: 449pF typ; Обратная проходная емкость: 219pF typ |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Gate charge | Output charge: 7.1nC; Switch charge: 7.7nC; Заряд сток-затвор: 5.8nC; Полный заряд затвора: Max: 26nC; Typ: 17nC; Gate charge overdrive: 4.9nC; Pre vth gate source charge: 4.4nC; Post vth gate source charge: 1.9nC |
| Артикул | IRF8736TRPBF |
| R ds on typ | 4.8mOhm @ VGS=10V |
| Ton forward | negligible (dominated by LS+LD) |
| V gs th max | 2.35V |
| V gs th min | 1.35V |
| V gs th typ | 1.8V |
| Применение | Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power, Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems |
| Непрерывный | 3.1A |
| I dss max 125c | 150uA |
| Switching times | Время спада: 7.5ns; Время нарастания: 15ns; Задержка включения: 12ns; Задержка выключения: 13ns |
| Transconductance | 52S typ |
| Описание | MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg |
| I gss forward max | 100nA |
| I gss reverse max | -100nA |
| Qg test condition | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=14.4A |
| R ds on max vgs10 | 4.8mOhm |
| R ds on typ vgs10 | 3.9mOhm |
| Темп. диапазон | Storage: -55 to 150°C; Operating junction: -55 to 150°C |
| Gfs test condition | VDS=15V, ID=14.4A |
| R ds on max vgs4 5 | 6.8mOhm |
| R ds on typ vgs4 5 | 5.5mOhm |
| Тепловое сопротивление | Junction to lead: 20°C/W max; Junction to ambient: 50°C/W max |
| Vsd test condition | TJ=25C, IS=14.4A, VGS=0V |
| Qoss test condition | VDS=10V, VGS=0V |
| Diode test condition | TJ=25C, IF=14.4A, VDD=10V, di/dt=300A/us |
| Gate leakage current | 100nA max at 20V |
| I dss test condition | VDS=24V, VGS=0V |
| I gss test condition | VGS=+/-20V |
| Импульсный ток стока | 144A |
| Bv dss test condition | VGS=0V, ID=250uA |
| Drain leakage current | At 24v 25c: 1µA max; At 24v 125c: 150µA max |
| Gate threshold voltage | Max: 2.35V; Min: 1.35V; Typ: 1.8V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.02W/degC |
| Power dissipation ta25 | 2.5W |
| Power dissipation ta70 | 1.6W |
| V gs th test condition | VDS=VGS, ID=50uA |
| Avalanche characterized | Да |
| Switching test condition | VDD=15V, VGS=4.5V, ID=14.4A, RG=1.8Ohm |
| I dss test condition 125c | VDS=24V, VGS=0V, TJ=125C |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150 degC |
| Capacitance test condition | VGS=0V, VDS=15V, f=1.0MHz |
| R ds on tested 100 percent | Да |
| Bv dss temp coefficient typ | 0.022V/degC |
| R ds on test condition vgs10 | VGS=10V, ID=18A |
| V gs th temp coefficient typ | -6.1mV/degC |
| Continuous drain current ta25 | 18A |
| Continuous drain current ta70 | 14.4A |
| R ds on test condition vgs4 5 | VGS=4.5V, ID=14.4A |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150 degC |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 50 degC/W |
| Thermal resistance junction to drain lead max | 20 degC/W |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?