Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт, 0.85 Ом
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
914 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:494 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 121,79 |
| от 7 | 119,53 |
| от 14 | 116,46 |
| от 27 | 111,79 |
| от 50 | 105,01 |
Склад 12
В наличии:420 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 134,55 |
| от 50 | 115,44 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay. Рабочее напряжение 500 В, ток до 8 А, сопротивление открытого канала 0,85 Ом. Выполнен в корпусе D2Pak (TO-263) для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | SMD |
| Конфигурация | Single N-Channel |
| Тип. время спада | 20ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип. время нарастания | 23ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Лавинный ток | 8.0A |
| Тип. время спада | 20ns |
| Тип. время нарастания | 23ns |
| Макс. пороговое Vgs | 4.0V |
| Мин. пороговое Vgs | 2.0V |
| Структура | N-канал |
| Gate source leakage | ±100 nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Соответствие материала | Lead (Pb)-free |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Напряжение сток-исток | 500V |
| Импульсный ток стока | 32A |
| Gate drain charge max | 32nC |
| Gate input resistance | 0.6 to 2.8Ω |
| Тип. входная емкость | 1300pF |
| Заряд затвора макс. | 63nC |
| Body diode voltage max | 2.0V |
| Gate source charge max | 9.3nC |
| Выходная емкость тип. | 310pF |
| Power dissipation case | 125W |
| Время задержки вкл. тип. | 14ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 49ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 500V |
| Прямая крутизна | 4.9S |
| Pulsed drain current max | 32A |
| Body diode pulsed current | 32A |
| Gate input resistance max | 2.8Ω |
| Gate input resistance min | 0.6Ω |
| Типовая входная емкость | 1300pF |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 3.5 V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Linear derating factor pcb | 0.025 W/°C |
| Тип. выходная емкость | 310pF |
| Пиковая температура пайки | 300°C |
| Turn on delay time typical | 14ns |
| Linear derating factor case | 1.0 W/°C |
| Power dissipation pcb mount | 3.1W |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Turn off delay time typical | 49ns |
| Длительный ток стока 25°C | 8.0A |
| Forward transconductance min | 4.9S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| Body diode continuous current | 8.0A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 5.1A |
| Gate source threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Энергия одиноч. импульса | 510mJ |
| Body diode forward voltage max | 2.0V |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V |
| Макс. Rси вкл. | 0.85Ω |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Peak diode recovery dv dt rating | 3.5V/ns |
| Обр. проходная емкость тип. | 120pF |
| Pulsed source drain diode current | 32A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Zero gate voltage drain current max | 25μA |
| Body diode reverse recovery time max | 970ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 460ns |
| Reverse transfer capacitance typical | 120pF |
| Thermal resistance junction case max | 1.0 °C/W |
| Zero gate voltage drain current 500v | 25 μA |
| Continuous source drain diode current | 8.0A |
| Body diode reverse recovery charge max | 8.9μC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 4.2μC |
| Thermal resistance junction ambient max | 62 °C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.0°C/W |
| Zero gate voltage drain current 400v 125c | 250 μA |
| Thermal resistance junction ambient pcb max | 40 °C/W |
| Thermal resistance junction to ambient free air | 62°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 40°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?