Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF840PBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
10 007 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 482 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 55,78 |
| от 150 | 52,05 |
| от 250 | 49,55 |
| от 500 | 47,36 |
| от 1 000 | 45,89 |
Склад 15
В наличии:1 825 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 25
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 25 | 50,40 |
Склад 12
В наличии:1 700 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 660 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 51,75 |
| от 20 | 42,23 |
| от 200 | 39,33 |
Описание
Полевой N-канальный транзистор IRF840PBF от Vishay выполнен в корпусе TO-220AB. Ключевые характеристики: напряжение сток-исток 500 В, ток стока 8 А, рассеиваемая мощность 125 Вт. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и схемах управления двигателями.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Ток | 8 А |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 20ns typ |
| Время нарастания | 23ns typ |
| Артикул | IRF840PBF |
| Корпус | TO-220 |
| Монтаж | Выводной |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Мощность | 125 Вт |
| Заряд сток-затвор | 32nC max |
| Вх. емкость | 1300pF typ (VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz) |
| Рассеиваемая мощность | 125W (TC=25°C) |
| Полный заряд затвора | 63nC max (VGS=10V, ID=8A, VDS=400V) |
| Body diode voltage | 2.0V max (IS=8A, VGS=0V) |
| Заряд затвор-исток | 9.3nC max |
| Выходная емкость | 310pF typ |
| Время задержки включения | 14ns typ |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Время задержки выключения | 49ns typ |
| Напряжение сток-исток | 500V |
| Импульсный ток стока | 32A |
| Напряжение | 500 В |
| Gate threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0 W/°C |
| Continuous drain current | 8.0A (TC=25°C), 5.1A (TC=100°C) |
| Прямая крутизна | 4.9S min |
| Body diode pulsed current | 32A |
| Internal drain inductance | 4.5nH typ |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 3.5 V/ns |
| Drain source on resistance | 0.85Ω max (VGS=10V, ID=4.8A) |
| Internal source inductance | 7.5nH typ |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Repetitive avalanche current | 8.0A |
| Обратная проходная емкость | 120pF typ |
| Thermal resistance case sink | 0.50 °C/W typ |
| Body diode continuous current | 8.0A |
| Энергия одиноч. импульса | 510mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V min |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Body diode reverse recovery time | 460ns typ, 970ns max |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.0 °C/W max |
| Body diode reverse recovery charge | 4.2μC typ, 8.9μC max |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62 °C/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?