Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF840PBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
9 002 шт.
Норм. уп.: 25
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт59,11 ₽
Сумма886,65 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии5 802 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 150 — 55,25 ₽ (−7%)
Склад 15срок до 10 дн.
Цена за шт—
Сумма—
В наличии1 600 шт
только упаковками по 25 штюрлицам и ИП
продаётся от 25 штпри 25 — 53,84 ₽
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии1 600 шт
от 1 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 1 000 штпри 1 000 — 42,69 ₽
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 886,65 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 413,35 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 886,65 ₽
Описание
Полевой N-канальный транзистор IRF840PBF от Vishay выполнен в корпусе TO-220AB. Ключевые характеристики: напряжение сток-исток 500 В, ток стока 8 А, рассеиваемая мощность 125 Вт. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и схемах управления двигателями.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Серия | IRF840, SiHF840 |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 8 А |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Ревизия | S11-0506-Rev. C, 21-Mar-11 |
| Время спада | 20ns typ |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 23ns typ |
| Технология | Third generation Power MOSFET |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRF840PBF |
| Тип канала | N-канальный |
| Dvds dtj typ | 0.78V/°C |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Тип. время спада | 20ns |
| Тип. время нарастания | 23ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Номер документа | 91070 |
| Момент затяжки | 10 фунт·дюйм (1.1 Н·м) |
| Мощность, Вт | 125 |
| Заряд сток-затвор | 32nC max |
| Вх. емкость | 1300pF typ (VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz) |
| Рассеиваемая мощность | 125W (TC=25°C) |
| Полный заряд затвора | 63nC max (VGS=10V, ID=8A, VDS=400V) |
| Напряжение встроенного диода | 2.0V max (IS=8A, VGS=0V) |
| Заряд затвор-исток | 9.3nC max |
| Ordering info snpb | IRF840 |
| Выходная емкость | 310pF typ |
| Время задержки включения | 14ns typ |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Время задержки выключения | 49ns typ |
| Напряжение сток-исток | 500V |
| Время включения | незначительный |
| Импульсный ток стока | 32A |
| Напряжение, В | 500 В |
| Заряд затвор-сток, макс. | 32nC |
| Тип. входная емкость | 1300pF |
| Заряд затвора макс. | 63nC |
| Макс. напряжение диода тела | 2.0V |
| Заряд затвор-исток, макс. | 9.3nC |
| Пороговое напряжение затвора | 2.0 to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 310pF |
| Время задержки вкл. тип. | 14ns |
| Ток утечки затвор-исток, макс. | ±100nA |
| Время задержки выкл. тип. | 49ns |
| Непрерывный ток стока | 8.0A (TC=25°C), 5.1A (TC=100°C) |
| Прямая крутизна | 4.9S min |
| Пиковая скорость восстановления диода, В/мкс | 3.5V/ns |
| Условия испытания переключения | VDD=250V, ID=8A, Rg=9.1Ω, RD=31Ω |
| Импульсный ток диода тела | 32A |
| Внутренняя индуктивность стока | 4.5nH typ |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 3.5 V/ns |
| Условия измерения емкости | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz |
| Сопротивление сток-исток | 0.85Ω max (VGS=10V, ID=4.8A) |
| Условия измерения заряда затвора | ID=8A, VDS=400V, VGS=10V |
| Внутренняя индуктивность истока | 7.5nH typ |
| Ordering info lead pb free | IRF840PbF |
| Пиковая температура пайки | 300°C в течение 10 с |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Мин. прямая крутизна | 4.9S |
| Импульсный прямой ток диода | 32A |
| Повторяющийся лавинный ток | 8.0A |
| Обратная проходная емкость | 120pF typ |
| Тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.50 °C/W typ |
| Непрерывный ток диода тела | 8.0A |
| Непрерывный ток стока, TC=25°C | 8.0A |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Энергия одиноч. импульса | 510mJ |
| Непрерывный ток стока, Tc=100°C | 5.1A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V min |
| Внутренняя индуктивность истока, тип. | 7.5nH |
| Maximum power dissipation tc25 | 125W |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Время обратного восстановления диода | 460ns typ, 970ns max |
| Обр. проходная емкость тип. | 120pF |
| Тепловое сопротивление корпус-радиатор, тип. | 0.50°C/W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.0 °C/W max |
| Условия теста напряжения диода корпуса | TJ=25°C, IS=8A, VGS=0V |
| Пороговое напряжение затвор-исток, макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвор-исток, мин. | 2.0V |
| Заряд обратного восстановления диода | 4.2μC typ, 8.9μC max |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 500V |
| Условия измерения утечки затвор-исток | VGS=±20V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62 °C/W max |
| Время обратного восстановления диода, макс. | 970ns |
| Тип. время восстановления диода | 460ns |
| Drain source on state resistance max | 0.85Ω |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 1.0°C/W |
| Непрерывный ток диода исток-сток | 8.0A |
| Заряд обратного восстановления диода, макс. | 8.9µC |
| Тип. заряд восстановления диода | 4.2µC |
| Условия измерения прямой крутизны | VDS=50V, ID=4.8A |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 62°C/W |
| Zero gate voltage drain current max tc25 | 25µA |
| Zero gate voltage drain current max tj125 | 250µA |
| Условия теста обратного восстановления диода | TJ=25°C, IF=8A, dI/dt=100A/µs |
| Условия измерения порогового напряжения затвор-исток | VDS=VGS, ID=250µA |
| Условия измерения напряжения пробоя сток-исток | VGS=0V, ID=250µA |
| Условия измерения тока стока при нулевом напряжении затвора | VDS=500V, VGS=0V |
| Drain source on state resistance test condition | VGS=10V, ID=4.8A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?