Документация
Транзисторы и сборки MOSFET IRF830PBF
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
13 951 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 893 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 63,43 |
| от 150 | 59,29 |
| от 250 | 56,52 |
| от 450 | 54,10 |
| от 900 | 52,45 |
Склад 15
В наличии:4 975 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 25
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 25 | 46,97 |
Склад 39
В наличии:83 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 81,84 |
| от 50 | 75,88 |
| от 82 | 72,55 |
| от 137 | 69,90 |
| от 226 | 67,83 |
Описание
Транзистор MOSFET IRF830PBF производства Vishay — силовой полевой ключ с изолированным затвором, выполненный в корпусе TO-220AB. Компонент предназначен для применения в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и схемах управления двигателями. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой коммутационной способностью.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 4.5 А |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 16ns |
| Время нарастания | 16ns |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRF830PBF |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 1.1 N·m (10 lbf·in) |
| Мощность, Вт | 74 |
| Заряд сток-затвор | 22nC |
| Вх. емкость | 610pF |
| Полный заряд затвора | 38nC |
| Body diode voltage | 1.6V |
| Заряд затвор-исток | 5.0nC |
| Выходная емкость | 160pF |
| Время задержки включения | 8.2ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Время задержки выключения | 42ns |
| Напряжение сток-исток | 500V |
| Импульсный ток стока | 18A |
| Напряжение, В | 500 В |
| Коэффициент снижения мощности | 0.59W/°C |
| Прямая крутизна | 2.5S |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 3.5V/ns |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 7.4mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 4.5A |
| Pulsed diode forward current | 18A |
| Repetitive avalanche current | 4.5A |
| Обратная проходная емкость | 68pF |
| Thermal resistance case sink | 0.50°C/W |
| Непрерывный ток стока 100°C | 2.9A |
| Dv ds temperature coefficient | 0.61V/°C |
| Gate source threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Maximum power dissipation 25c | 74W |
| Энергия одиноч. импульса | 280mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Body diode reverse recovery time | 320 to 640ns |
| Drain source on state resistance | 1.5Ω |
| Body diode reverse recovery charge | 1.0 to 2.0µC |
| Zero gate voltage drain current 25c | 25µA |
| Thermal resistance junction case max | 1.7°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 250µA |
| Continuous source drain diode current | 4.5A |
| Thermal resistance junction ambient max | 62°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?