Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 74Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
767 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:407 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 66,24 |
| от 11 | 64,81 |
| от 21 | 62,82 |
| от 50 | 59,81 |
| от 100 | 55,81 |
Склад 12
В наличии:360 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 70,38 |
| от 10 | 61,17 |
| от 100 | 52,37 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay. Работает при напряжении до 500 В, токе до 5 А и мощности 74 Вт. Выпускается в корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AB |
| Q g max | 24nC |
| T f typ | 15ns |
| T j max | 150°C |
| T r typ | 21ns |
| E ar max | 7.4mJ |
| E as max | 230mJ |
| G fs min | 2.8S |
| I ar max | 5.0A |
| I s cont | 5.0A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | N-Channel |
| Q gd typ | 11nC |
| Q gs typ | 6.3nC |
| Q rr max | 2.4μC |
| Q rr typ | 1.62μC |
| T rr max | 650ns |
| T rr typ | 430ns |
| V ds max | 500V |
| V gs max | ±30V |
| V sd max | 1.5V |
| C iss typ | 620pF |
| C oss eff | 39pF |
| C rss typ | 4.3pF |
| Макс. dV/dt | 5.3V/ns |
| Время спада | 15ns |
| I gss max | ±100nA |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 21ns |
| T stg max | 150°C |
| T stg min | -55°C |
| I d pulsed | 20A |
| I s pulsed | 20A |
| T d on typ | 10ns |
| P d max 25c | 74W |
| R ds on max | 1.4Ω |
| R ds on typ | — |
| R th cs typ | 0.5°C/W |
| R th ja max | 62°C/W |
| R th jc max | 1.7°C/W |
| T d off typ | 21ns |
| V gs th max | 4.5V |
| V gs th min | 2.0V |
| Channel type | N-Channel |
| I d cont 25c | 5.0A |
| C oss typ 25v | 93pF |
| Конфигурация | Single |
| I d cont 100c | 3.2A |
| I dss max 25c | 25μA |
| I dss max 125c | 250μA |
| Соотв. RoHS | Да |
| Время пайки | 10s |
| Момент затяжки | 10 lbf·in / 1.1 N·m |
| Заряд сток-затвор | 11nC |
| Вх. емкость | 620pF |
| Полный заряд затвора | 24nC |
| Body diode voltage | 1.5V |
| Заряд затвор-исток | 6.3nC |
| Выходная емкость | 93pF (at V_DS=25V), 886pF (at V_DS=1V), 27pF (at V_DS=400V) |
| Время задержки включения | 10ns |
| V ds breakdown min | 500V |
| Структура | N-канал |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Soldering temp peak | 300°C |
| Время задержки выключения | 21ns |
| Напряжение сток-исток | 500V |
| Импульсный ток стока | 20A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.59W/°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 2.8S |
| Maximum power dissipation | 74W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.3V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 7.4mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 5.0A |
| Effective output capacitance | 39pF |
| Pulsed diode forward current | 20A |
| Repetitive avalanche current | 5.0A |
| Обратная проходная емкость | 4.3pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB |
| Непрерывный ток стока 100°C | 3.2A |
| Gate source threshold voltage | 2.0V to 4.5V |
| Энергия одиноч. импульса | 230mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W |
| Zero gate voltage drain current | 25μA (at 500V), 250μA (at 400V, 125°C) |
| Body diode reverse recovery time | 430ns (typ), 650ns (max) |
| Drain source on state resistance | 1.4Ω (max) at V_GS=10V, I_D=3.0A |
| Body diode reverse recovery charge | 1.62μC (typ), 2.4μC (max) |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.7°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Continuous source drain diode current | 5.0A |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?