Документация
IRF8252TRPBF, транзистор N канал 25В 25А SO8
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 51,75 |
| от 50 | 41,40 |
| от 500 | 36,23 |
Описание
Транзистор N‑канальный MOSFET от Infineon. Работает при напряжении 25 В и токе до 25 А, корпус SO‑8. Отличается низким сопротивлением открытого канала и быстрым переключением. Подходит для импульсных источников питания и DC‑DC преобразователей.
Технические характеристики
| R g | 0.61Ω |
| T f | 12ns |
| T r | 32ns |
| E as | 231mJ |
| G fs | 89S |
| I ar | 20A |
| Q gd | 12nC |
| Q rr | 12nC |
| Q sw | 16nC |
| T rr | 19ns |
| Тип | N-channel MOSFET |
| V sd | 1.0V |
| C iss | 5305pF |
| C oss | 1340pF |
| C rss | 725pF |
| Q gs1 | 10nC |
| Q gs2 | 4.6nC |
| Q oss | 26nC |
| Q godr | 8.9nC |
| T d on | 23ns |
| Корпус | SO-8 |
| T d off | 19ns |
| Тип монтажа | SMD |
| V ds max | 25V |
| V gs max | ±20V |
| I d pulsed | 200A |
| Артикул | IRF8252TRPBF |
| R ds on 10v | 2.7mΩ |
| V gs th max | 2.35V |
| V gs th min | 1.35V |
| V gs th typ | 1.80V |
| Без галогенов | Да |
| R ds on 4 5v | 3.7mΩ |
| Корпус | SO-8 |
| Q g total max | 53nC |
| Q g total typ | 35nC |
| Соотв. RoHS | Да |
| Описание | MOSFETs MOSFT 25V 25A 2.7mOhm 35nC Qg |
| P dissipation 25c | 2.5W |
| P dissipation 70c | 1.6W |
| I d continuous 25c | 25A |
| I d continuous 70c | 20A |
| Структура | N-канал |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 50°C/W |
| Thermal resistance junction to drain lead max | 20°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Напряжение, В | 25 |
| Ток, А | 25 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?