Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF7832TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 30В, 20A, корпус SOIC-8
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
5 193 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 183 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 57,22 |
| от 24 | 55,99 |
| от 47 | 54,33 |
| от 94 | 52,01 |
| от 187 | 49,35 |
Склад 12
В наличии:10 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 250 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 50,72 |
| от 25 | 48,96 |
| от 250 | 48,65 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) N-канального типа от производителя Infineon Technologies. Компонент выполнен в компактном корпусе SOIC-8, что делает его удобным для поверхностного монтажа. Предназначен для применения в цепях с номинальным напряжением до 30 В и током до 20 А, обеспечивая эффективное переключение в импульсных источниках питания и DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| Tstg | -55 to +155°C |
| Рассеиваемая мощность при 25°C | 2.5W |
| Pd 70c | 1.6W |
| Макс. заряд затвора | 51nC |
| Тип. заряд затвора | 34nC |
| Rg max | 2.4Ω |
| Rg typ | 1.2Ω |
| Tf тип. | 13ns |
| Tr тип. | 6.7ns |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 20 А |
| Eas max | 260mJ |
| Gfs min | 77S |
| Iar max | 16A |
| Корпус | SOIC-8 |
| Qgd тип. | 12nC |
| Qrr max | 59nC |
| Qrr тип. | 39nC |
| Qsw typ | 14.9nC |
| Макс. время обратного восстановления | 62ns |
| Trr тип. | 41ns |
| Vsd макс. | 1.0V |
| Тип. Ciss | 4310pF |
| Coss тип. | 990pF |
| Тип. Crss | 450pF |
| Тип монтажа | SMD |
| Qgs1 typ | 8.6nC |
| Qgs2 typ | 2.9nC |
| Qoss typ | 23nC |
| V gs max | ±20V |
| Время спада | 13ns |
| I dss max | 1.0µA |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 8 |
| Qgodr typ | 10.5nC |
| Время нарастания | 6.7ns |
| Td(вкл) тип. | 12ns |
| V dss max | 30V |
| Bv dss min | 30V |
| Idm импульсный | 160A |
| Ism pulsed | 160A |
| Td(выкл) тип. | 21ns |
| Технология | HEXFET |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRF7832TRPBF |
| R th ja max | 50°C/W |
| R th jl max | 20°C/W |
| V gs th max | 2.32V |
| V gs th min | 1.39V |
| Применение | Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power, Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems |
| Channel type | N-channel |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Tj operating | -55 to +155°C |
| Непрерывный | 3.1A |
| I dss max 125c | 150µA |
| Gate resistance | 1.2Ω typ, 2.4Ω max |
| R ds on max 10v | 4.0mΩ |
| R ds on typ 10v | 3.1mΩ |
| Avalanche energy | 260mJ max |
| R ds on max 4 5v | 4.8mΩ |
| R ds on typ 4 5v | 3.7mΩ |
| Мощность, Вт | 2,5 |
| Лавинный ток | 16A max |
| Bv dss temp coeff | 0.023V/°C |
| I gss forward max | 100nA |
| I gss reverse max | -100nA |
| Ток стока непрерывный 25C | 20A |
| Непрерывный ток стока 70°C | 16A |
| Вх. емкость | 4310pF typ |
| Полный заряд затвора | 34nC typ, 51nC max |
| Выходная емкость | 990pF typ |
| Время задержки включения | 12ns |
| V gs th temp coeff | 5.7mV/°C |
| Время задержки выключения | 21ns |
| Gate leakage current | 100nA max |
| Импульсный ток стока | 160A |
| Напряжение, В | 30 В |
| Напр. диода | 1.0V max |
| Drain leakage current | 1.0µA max at 24V |
| Мощн. рас. 25°C | 2.5W |
| Power dissipation 70c | 1.6W |
| Pulsed source current | 160A |
| Время обратного восстановления | 41ns typ, 62ns max |
| Gate resistance tested | 100% |
| Gate threshold voltage | 1.39V min, 2.32V max |
| Коэффициент снижения мощности | 0.02W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 39nC typ, 59nC max |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Прямая крутизна | 77S typ |
| Continuous source current | 3.1A |
| Диап. темп. хр. | -55 to 155°C |
| Длительный ток стока 25°C | 20A |
| Continuous drain current 70c | 16A |
| Обратная проходная емкость | 450pF typ |
| Drain source on resistance 10v | 3.1mΩ typ, 4.0mΩ max |
| Рабочая температура перехода | -55 to 155°C |
| Drain source on resistance 4 5v | 3.7mΩ typ, 4.8mΩ max |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 20°C/W max |
| Термосопротивление переход-среда | 50°C/W max |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?