Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC лента на катушке
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
98 шт.
Норм. уп.: 40
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:96 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 50,13 |
| от 16 | 48,84 |
| от 31 | 47,05 |
| от 61 | 44,37 |
| от 121 | 41,15 |
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 40
Минимальная партия: 400 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 22,77 |
| от 40 | 20,37 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Infineon. Работает при напряжении до 30 В и токе до 11 А, выпускается в компактном корпусе SOIC8. Подходит для цепей управления питанием и DC/DC-преобразователей в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Макс. заряд затвора | 11nC |
| Тип. заряд затвора | 7.2nC |
| Rg max | 4.8Ω |
| Rg typ | 2.5Ω |
| Tf тип. | 3.1ns |
| Tr тип. | 6.2ns |
| Eas max | 63mJ |
| Gfs тип. | 22S |
| Iar max | 8.8A |
| Корпус | SO-8 |
| Qgd тип. | 2.7nC |
| Qrr max | 26nC |
| Qrr тип. | 17nC |
| Макс. время обратного восстановления | 46ns |
| Trr тип. | 31ns |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 770pF |
| Coss тип. | 190pF |
| Тип. Crss | 100pF |
| Idss макс. | 1µA |
| Igss макс. | 100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Qgs1 typ | 2.1nC |
| Qgs2 typ | 0.7nC |
| V sd max | 1.0V |
| Bvdss min | 30V |
| Время спада | 3.1ns typ |
| Ток стока импульсный | 88A |
| Is pulsed | 88A |
| Без свинца | Да |
| Pd at 25c | 2.5W |
| Pd at 70c | 1.6W |
| Время нарастания | 6.2ns typ |
| Td(вкл) тип. | 6.9ns |
| Td(выкл) тип. | 10ns |
| Vgs порог макс. | 2.25V |
| Vgs порог мин. | 1.35V |
| Vgs(th) тип. | 1.8V |
| Непрерывный | 3.1A |
| Тип монтажа | SMD |
| Output charge | 2.8nC typ |
| Switch charge | 3.4nC typ |
| Gate resistance | 2.5Ω typ, 4.8Ω max |
| Idss max at 125c | 150µA |
| Лавинный ток | 8.8A max |
| Заряд сток-затвор | 2.7nC typ |
| Вх. емкость | 770pF typ |
| Rds on max at 10v | 13.8mΩ |
| Rds on typ at 10v | 11mΩ |
| Полный заряд затвора | 7.2nC typ, 11nC max |
| Выходная емкость | 190pF typ |
| Rds on max at 4.5v | 18.2mΩ |
| Rds on typ at 4.5v | 14.5mΩ |
| Время задержки включения | 6.9ns typ |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 10ns typ |
| Id continuous at 25c | 11A |
| Id continuous at 70c | 8.7A |
| Импульсный ток стока | 88A |
| Напр. диода | 1.0V max |
| Gate charge overdrive | 1.7nC typ |
| Мощн. рас. 25°C | 2.5W |
| Power dissipation 70c | 1.6W |
| Время обратного восстановления | 31ns typ, 46ns max |
| Gate threshold voltage | 1.35V min, 1.8V typ, 2.25V max |
| Коэффициент снижения мощности | 0.02 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 17nC typ, 26nC max |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Прямая крутизна | 22S typ |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Pre vth gate source charge | 2.1nC typ |
| Post vth gate source charge | 0.7nC typ |
| Длительный ток стока 25°C | 11A |
| Continuous drain current 70c | 8.7A |
| Обратная проходная емкость | 100pF typ |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
| Avalanche energy single pulse | 63mJ max |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 50°C/W max |
| Static drain source on resistance vgs10v | 11mOhm typ, 13.8mOhm max |
| Static drain source on resistance vgs4 5v | 14.5mOhm typ, 18.2mOhm max |
| Thermal resistance junction to drain lead | 20°C/W max |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 50°C/W |
| Thermal resistance junction to drain lead max | 20°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?