Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
694 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:694 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 104,95 |
| от 23 | 97,46 |
| от 45 | 91,34 |
| от 90 | 86,78 |
| от 179 | 83,36 |
Описание
Транзистор полевой P-канальный MOSFET от Infineon. Рабочее напряжение до 30 В, ток до 3,6 А, корпус Micro8. Подходит для компактных схем управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | Micro8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 39ns |
| Время нарастания | 20ns |
| Profile height | <1.1mm |
| Заряд сток-затвор | 7.6nC |
| Вх. емкость | 520pF |
| Полный заряд затвора | 20nC |
| Заряд затвор-исток | 2.1nC |
| Выходная емкость | 300pF |
| Время задержки включения | 13ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 43ns |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -29A |
| Напр. диода | -1.2V |
| Мощн. рас. 25°C | 1.8W |
| Power dissipation 70c | 1.1W |
| Pulsed source current | -29A |
| Время обратного восстановления | 43ns |
| Температура пайки | 240°C |
| Gate threshold voltage | -1.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 14mW/°C |
| Заряд обратного восстановления | 50nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 2.3S |
| Continuous source current | -2.4A |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.0V/ns |
| Gate source forward leakage | -100nA |
| Gate source reverse leakage | 100nA |
| Длительный ток стока 25°C | -3.6A |
| Continuous drain current 70c | -2.9A |
| Drain source leakage current | -1.0µA |
| Обратная проходная емкость | 140pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Gate source voltage single pulse | 30V |
| Drain source leakage current 125c | -25µA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.024V/°C |
| Junction storage temperature range | -55 to +150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 70°C/W |
| Static drain source on resistance 10v | 0.075Ω |
| Static drain source on resistance 4 5v | 0.09Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?