Документация
Транзистор полевой IRF7473TRPBF-VB
У поставщика
У поставщиков
458 шт.
Норм. уп.: 78
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 2срок до 2 недель
Цена за шт28,08 ₽
Сумма280,80 ₽
В наличии10 шт
от 10 штюрлицам и ИП
Склад 39срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии238 шт
от 15 штюрлицам и ИП
продаётся от 15 штпри 15 — 43,76 ₽
10 шт · Склад 2 · 280,80 ₽
Описание
Полевой N-Channel MOSFET IRF7473TRPBF-VB от VBSEMI выполнен в компактном SMD-корпусе SO-8. Ключевые параметры: напряжение сток-исток 100В, низкое сопротивление открытого канала и быстрые переключения (время нарастания 12нс, спада 6нс). Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и цепях управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Высота | 1.35mm to 1.75mm |
| Корпус | SO-8 (narrow) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 6ns |
| Размах выводов | 5.80mm to 6.20mm |
| Время нарастания | 12ns |
| Размеры | 4.80-5.00mm x 3.80-4.00mm x 1.35-1.75mm |
| Шаг выводов | 1.27mm |
| Технология | N-канальный MOSFET |
| Без галогенов | Да |
| Конфигурация | Single |
| Тип монтажа | SMD |
| Сопротивление во включённом состоянии | 32mΩ (VGS=10V, ID=5A), 33mΩ (VGS=4.5V, ID=5A) |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ном. напряжение | 100V |
| Сопротивление затвора | 0.8Ω typ, 1.3Ω max |
| Время переключения | Время спада: 6ns typ, 10ns max; Время нарастания: 12ns typ, 18ns max; Задержка включения: 14ns typ, 21ns max; Задержка выключения: 22ns typ, 33ns max |
| Энергия лавины | 112mJ |
| Лавинный ток | 30A |
| Заряд затвора-стока | 6.5nC |
| Общий заряд затвора | 28.5nC typ, 43nC max |
| Заряд сток-затвор | 6.5nC |
| Вх. емкость | 1900pF |
| Рассеиваемая мощность | 14W (TC=25°C), 5W (TC=70°C), 4W (TA=25°C) |
| Пороговое напряжение | 1.0V to 3.0V |
| Заряд затвора-истока | 8nC |
| Заряд затвор-исток | 8nC |
| Выходная емкость | 150pF |
| Размеры упаковки | 4.80mm x 3.80mm (typical) |
| Время задержки включения | 14ns |
| Время задержки выключения | 22ns |
| Импульсный ток стока | 40A |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Импульсный ток стока | 40A |
| Время обратного восстановления | 63 нс тип., 95 нс макс. |
| Пороговое напряжение затвора | 1.0V to 3.0V |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 4W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 2W |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 14W |
| Рассеиваемая мощность при Tc 70 °C | 5W |
| Общий заряд затвора, Vgs 8 В | 23nC |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 110nC typ, 165nC max |
| Общий заряд затвора, Vgs 10 В | 28.5nC |
| Непрерывный ток стока | 9A (TC=25°C), 6A (TC=70°C) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Прямое напряжение диода тела | 0.77V |
| Напряжение диода исток-сток | 0.77V typ, 1.2V max (IS=2.6A) |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 50pF |
| Непрерывный ток стока, TC=25°C | 9A |
| Длительный ток стока при Tc=70°C | 6A |
| Энергия одиноч. импульса | 112mJ |
| Рабочая температура перехода | -55°C to 150°C |
| Ток лавинного пробоя одиночного импульса | 30A |
| Время обратного восстановления диода | 63ns |
| Сопротивление открытого сток-исток, Vgs 10 В | 32mΩ |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод | 17°C/W typ, 21°C/W max |
| Сопротивление открытого сток-исток, Vgs 4,5 В | 33mΩ |
| Заряд обратного восстановления диода | 110nC |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 33°C/W typ, 40°C/W max |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 21°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 40°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-основание | 17°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-среда | 33°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.9 |
| Напряжение, В | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?