Документация
Транзистор полевой IRF7473TRPBF-VB
У поставщика
У поставщиков
10 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 24,76 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 24,76 |
Технические характеристики
| Высота | 1.35mm to 1.75mm |
| Корпус | SO-8 (narrow) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 6ns |
| Lead span | 5.80mm to 6.20mm |
| Время нарастания | 12ns |
| Технология | N-Channel MOSFET |
| Без галогенов | true |
| Конфигурация | Single |
| Соотв. RoHS | true |
| Gate resistance | 0.80Ω to 1.3Ω |
| Заряд сток-затвор | 6.5nC |
| Вх. емкость | 1900pF |
| Threshold voltage | 1.0V to 3.0V |
| Заряд затвор-исток | 8nC |
| Выходная емкость | 150pF |
| Размеры упаковки | 4.80mm x 3.80mm (typical) |
| Время задержки включения | 14ns |
| Время задержки выключения | 22ns |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Импульсный ток стока | 40A |
| Power dissipation ta25 | 4W |
| Power dissipation ta70 | 2W |
| Power dissipation tc25 | 14W |
| Power dissipation tc70 | 5W |
| Total gate charge vgs8 | 23nC |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Total gate charge vgs10 | 28.5nC |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Body diode forward voltage | 0.77V |
| Обратная проходная емкость | 50pF |
| Continuous drain current tc25 | 9A |
| Continuous drain current tc70 | 6A |
| Энергия одиноч. импульса | 112mJ |
| Рабочая температура перехода | -55°C to 150°C |
| Single pulse avalanche current | 30A |
| Body diode reverse recovery time | 63ns |
| Drain source on resistance vgs10 | 32mΩ |
| Drain source on resistance vgs4 5 | 33mΩ |
| Body diode reverse recovery charge | 110nC |
| Thermal resistance junction to foot max | 21°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 40°C/W |
| Thermal resistance junction to foot typical | 17°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typical | 33°C/W |