+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRF7455PBF
Документация

Полевой транзистор IRF7455PBF

Артикул:102230
У поставщика
ПроизводительInfineon
Ед. изм.шт
У поставщиков
5 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:5 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 300 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1144,90
от 30108,74
Описание

Полевой транзистор IRF7455PBF производства Infineon представляет собой мощный N-канальный MOSFET, выполненный в корпусе SO-8. Компонент оптимизирован для применения в цепях синхронного выпрямления и DC/DC-преобразователей. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность и снижение потерь при коммутации.

Технические характеристики
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±12V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
КорпусSO-8
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ОписаниеMOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
СтруктураN-канал
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Supplier Device Package8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3480 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Напряжение, В30

Заметили ошибку в описании или параметрах?