Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF7413ZTRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 30В,13A, 2.5Вт, корпус SOIC-8
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
3 171 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 38
В наличии:2 497 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 37,18 |
Склад 13
В наличии:674 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 73,99 |
| от 31 | 68,37 |
| от 61 | 63,77 |
| от 121 | 60,33 |
| от 242 | 57,75 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от Infineon Technologies. Компонент рассчитан на напряжение 30 В и ток 13 А при рассеиваемой мощности 2,5 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOIC-8, что делает его удобным для поверхностного монтажа. Применяется в цепях управления питанием, DC/DC-преобразователях и нагрузочных ключах.
Технические характеристики
| GFS | 62S |
| Bv dss | 30V |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 13 А |
| I d 25c | 13A |
| I d 70c | 10A |
| P d 25c | 2.5W |
| P d 70c | 1.6W |
| Корпус | SO-8 |
| R g max | 4.5Ω |
| R g typ | 2.3Ω |
| T f typ | 3.8ns |
| T j max | +150°C |
| T j min | -55°C |
| T r typ | 6.3ns |
| E as max | 32mJ |
| I ar max | 10A |
| Тип монтажа | SMD |
| Q gd typ | 3.0nC |
| Q rr max | 24nC |
| Q rr typ | 16nC |
| Q sw typ | 4.0nC |
| T rr max | 36ns |
| T rr typ | 24ns |
| V gs max | ±20V |
| V sd max | 1.0V |
| C iss typ | 1210pF |
| C oss typ | 270pF |
| C rss typ | 140pF |
| I dss max | 1.0µA |
| Без свинца | Да |
| Q gs1 typ | 3.0nC |
| Q gs2 typ | 1.0nC |
| Q oss typ | 5.6nC |
| T stg max | +150°C |
| T stg min | -55°C |
| V dss max | 30V |
| Q godr typ | 2.5nC |
| T d on typ | 8.7ns |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 100A |
| I sm pulsed | 100A |
| Артикул | IRF7413ZPbF |
| R ds on 10v | 10mΩ |
| R th ja max | 50 °C/W |
| R th jl max | 20 °C/W |
| T d off typ | 11ns |
| V gs th max | 2.25V |
| V gs th min | 1.35V |
| V gs th typ | 1.80V |
| Применение | Control FET for Notebook Processor Power, Control and Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Computing, Networking and Telecommunication Systems |
| Channel type | N-Channel |
| R ds on 4 5v | 13mΩ |
| I gss fwd max | 100nA |
| I gss rev max | -100nA |
| Q g total max | 14nC |
| Q g total typ | 9.5nC |
| I dss 125c max | 150µA |
| I s continuous | 3.1A |
| R ds on 10v typ | 8.0mΩ |
| Avalanche tested | Да |
| R ds on 4 5v typ | 10.5mΩ |
| Мощность, Вт | 2,5 |
| Bv dss temp coeff | 0.025 V/°C |
| V gs th temp coeff | -5.0 mV/°C |
| Напряжение, В | 30 В |
| Коэффициент снижения мощности | 0.02 W/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?