Документация
Полевой транзистор IRF7413TRPBF
У поставщика
У поставщиков
1 984 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,66 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:1 984 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,66 |
Описание
N-канальный MOSFET IRF7413TRPBF от VBSEMI в корпусе SO-8. Работает при напряжении до 30 В и токе до 45 А в импульсе, сопротивление открытого канала — всего 8 мОм при 10 В на затворе. Оптимизирован для верхнего плеча синхронных выпрямителей в ноутбуках.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Особенности | [ "TrenchFET Power MOSFET", "Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation", "100% Rg Tested", "100% UIS Tested" ] |
| Тип монтажа | SMD |
| Применение | [ "Notebook CPU Core High-Side Switch" ] |
| Gate leakage | ±100nA |
| Без галогенов | true |
| Rds on vgs10v | 0.008Ω |
| Rds on vgs4.5v | 0.011Ω |
| Avalanche energy | 21mJ |
| Transconductance | 50S |
| Лавинный ток | 20A |
| Размеры упаковки | { "width_mm": "3.80-4.00", "height_mm": "1.35-1.75", "length_mm": "4.80-5.00", "lead_pitch_mm": "1.27" } |
| Gate resistance typ | 1.8Ω |
| Fall time typ vgs10v | 8ns |
| Импульсный ток стока | 45A |
| Rise time typ vgs10v | 10ns |
| Fall time typ vgs4.5v | 10ns |
| Тип. входная емкость | 800pF |
| Rise time typ vgs4.5v | 12ns |
| On state drain current | 20A |
| Выходная емкость тип. | 165pF |
| Power dissipation ta25c | 2.2W |
| Power dissipation ta70c | 1.3W |
| Power dissipation tc25c | 4.1W |
| Body diode pulsed current | 50A |
| Макс. время обрат. восстановления | 30ns |
| Тип. время восст. | 15ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Reverse recovery charge max | 12nC |
| Тип. заряд восст. | 6nC |
| Total gate charge max vgs5v | 10.2nC |
| Total gate charge typ vgs5v | 6.8nC |
| Total gate charge max vgs10v | 23nC |
| Total gate charge typ vgs10v | 15nC |
| Body diode continuous current | 10A |
| Turn on delay time typ vgs10v | 8ns |
| Body diode forward voltage max | 1.2V |
| Body diode forward voltage typ | 0.8V |
| Continuous drain current ta25c | 9A |
| Continuous drain current ta70c | 7A |
| Continuous drain current tc25c | 13A |
| Continuous drain current tc70c | 10A |
| Turn off delay time typ vgs10v | 16ns |
| Turn on delay time typ vgs4.5v | 16ns |
| Turn off delay time typ vgs4.5v | 16ns |
| Обр. проходная емкость тип. | 73pF |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1µA |
| Zero gate voltage drain current 55c | 10µA |
| Thermal resistance junction to foot max | 29°C/W |
| Thermal resistance junction to foot typ | 25°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 39°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient max steady state | 85°C/W |