Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF740PBF, полевой N-канальный транзистор VISHAY, 400В, 10А, 125Вт, корпус TO-220-3
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
3 325 шт.
Норм. уп.: 25
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 15срок до 10 дн.
Цена за шт51,89 ₽
Сумма1 297,25 ₽
В наличии3 325 шт
только упаковками по 25 штюрлицам и ИП
25 шт · Склад 15 · 1 297,25 ₽
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор IRF740PBF от Vishay. Компонент рассчитан на напряжение сток-исток 400 В и ток стока 10 А, рассеиваемая мощность составляет 125 Вт. Выпускается в стандартном корпусе TO-220-3, подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой.
Технические характеристики
| RoHS | Соответствует |
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Бренд | Vishay |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 10 А |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 24ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 27ns |
| DV dt rating | 4.0V/ns |
| Ток утечки затвора | ±100nA |
| Конфигурация | Single |
| Задержка включения | 14ns |
| Кол-во выводов | 3 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Задержка выключения | 50ns |
| Момент затяжки | 10 фунт·дюйм (1.1 Н·м) |
| Мощность, Вт | 125 |
| Заряд сток-затвор | 32nC |
| Вх. емкость | 1400pF |
| Рассеиваемая мощность | 125W |
| Полный заряд затвора | 63nC |
| Заряд затвор-исток | 9.0nC |
| Выходная емкость | 330pF |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Импульсный ток стока | 40A |
| Импульсный ток диода | 40A |
| Напряжение сток-исток | 400V |
| Импульсный ток стока | 40A |
| Test conditions ciss | V_DS=25V, f=1MHz |
| Крутизна, мин. | 5.8S |
| Напряжение, В | 400 В |
| Заряд затвор-сток, макс. | 32nC |
| Общий заряд затвора, макс. | 63nC |
| Макс. рассеиваемая мощность | 125W |
| Заряд затвор-исток, макс. | 9.0nC |
| Пороговое напряжение затвора | 2.0V to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0W/°C |
| Test conditions rds on | V_GS=10V, I_D=6A |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±20V |
| Diode continuous current | 10A |
| Прямая крутизна | 5.8S |
| Макс. напряжение сток-исток | 400V |
| Импульсный ток диода тела | 40A |
| Capacitance input typical | 1400pF |
| Напр. диода макс. | 2.0V |
| Внутренняя индуктивность стока | 4.5nH |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.0V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Прямое напряжение диода тела | 2.0V |
| Capacitance output typical | 330pF |
| Сопротивление сток-исток | 0.55Ω |
| Внутренняя индуктивность истока | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C в течение 10 с |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Switching fall time typical | 24ns |
| Switching rise time typical | 27ns |
| Повторяющийся лавинный ток | 10A |
| Длительный ток стока 25°C | 10A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 10A |
| Повторяющийся лавинный ток | 10A |
| Обратная проходная емкость | 120pF |
| Энергия лавины, одиночный импульс | 520mJ |
| Непрерывный ток диода тела | 10A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 6.3A |
| Непрерывный ток стока при 100 °C | 6.3A |
| Сопротивление сток-исток, макс. | 0.55Ω |
| Avalanche energy repetitive max | 13mJ |
| Макс. время обратного восстановления | 790ns |
| Switching turn on delay typical | 14ns |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 25µA |
| Время обратного восстановления диода | 370ns typical, 790ns max |
| Switching turn off delay typical | 50ns |
| Макс. энергия лавины одиночного импульса | 520mJ |
| Макс. заряд обратного восстановления | 8.2μC |
| Internal drain inductance typical | 4.5nH |
| Threshold voltage gate source max | 4.0V |
| Threshold voltage gate source min | 2.0V |
| Заряд обратного восстановления диода | 3.8µC typical, 8.2µC max |
| Internal source inductance typical | 7.5nH |
| Diode reverse recovery time typical | 370ns |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.0°C/W |
| Capacitance reverse transfer typical | 120pF |
| Thermal resistance case sink typical | 0.50°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 1.0°C/W |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | 250µA |
| Diode reverse recovery charge typical | 3.8μC |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 62°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?