Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF740PBF, полевой N-канальный транзистор VISHAY, 400В, 10А, 125Вт, корпус TO-220-3
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
8 642 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:3 675 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 25
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 25 | 47,54 |
Склад 13
В наличии:3 257 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 59,62 |
| от 150 | 55,68 |
| от 250 | 53,06 |
| от 500 | 50,75 |
| от 950 | 49,20 |
Склад 12
В наличии:1 710 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 600 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,07 |
| от 20 | 48,54 |
| от 200 | 42,17 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор IRF740PBF от Vishay. Компонент рассчитан на напряжение сток-исток 400 В и ток стока 10 А, рассеиваемая мощность составляет 125 Вт. Выпускается в стандартном корпусе TO-220-3, подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Ток | 10 А |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 24ns |
| Время нарастания | 27ns |
| Gate leakage | ±100nA |
| Корпус | TO-220 |
| Монтаж | Выводной |
| Конфигурация | Single |
| Задержка включения | 14ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Задержка выключения | 50ns |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Мощность | 125 Вт |
| Заряд сток-затвор | 32nC |
| Вх. емкость | 1400pF |
| Рассеиваемая мощность | 125W |
| Полный заряд затвора | 63nC |
| Заряд затвор-исток | 9.0nC |
| Выходная емкость | 330pF |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 400V |
| Импульсный ток стока | 40A |
| Напряжение | 400 В |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0W/°C |
| Прямая крутизна | 5.8S |
| Body diode pulsed current | 40A |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.0V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Body diode forward voltage | 2.0V |
| Drain source on resistance | 0.55Ω |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 10A |
| Repetitive avalanche current | 10A |
| Обратная проходная емкость | 120pF |
| Avalanche energy single pulse | 520mJ |
| Body diode continuous current | 10A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 6.3A |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W |
| Zero gate voltage drain current | 25µA |
| Body diode reverse recovery time | 370ns typical, 790ns max |
| Body diode reverse recovery charge | 3.8µC typical, 8.2µC max |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.0°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 250µA |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?