Документация
Микросхема IRF7389TRPBF
У поставщика
У поставщиков
4 018 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 018 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 73,11 |
| от 11 | 71,53 |
| от 21 | 69,33 |
| от 42 | 65,99 |
| от 83 | 61,56 |
Описание
Микросхема IRF7389TRPBF производства Infineon представляет собой сдвоенный N-канальный MOSFET-транзистор. Компонент оптимизирован для применения в цепях синхронного выпрямления и DC/DC-преобразователей. Отличается низким сопротивлением открытого канала и компактным исполнением, что обеспечивает высокую эффективность преобразования энергии.
Технические характеристики
| Тип | Dual N and P-channel MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Id n channel | 7A |
| Id p channel | -6A |
| Vds n channel | 30V |
| Vds p channel | -30V |
| Rds on n channel | 28mΩ |
| Rds on p channel | 58mΩ |
| Рассеиваемая мощность | 2.5W |
| Темп. перехода | 150°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Gate threshold voltage n | 1V to 3V |
| Gate threshold voltage p | -1V to -3V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Описание (англ.) | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
Заметили ошибку в описании или параметрах?