Документация
Транзистор IRF7343TRPBF
У поставщика
У поставщиков
15 510 шт.
Норм. уп.: 25
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 47,80 |
| от 30 | 44,71 |
| от 60 | 43,17 |
| от 120 | 41,01 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:12 409 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 47,43 |
| от 150 | 44,07 |
| от 300 | 41,83 |
| от 600 | 39,85 |
| от 1 200 | 38,51 |
Склад 12
В наличии:3 101 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 250 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 37,26 |
| от 25 | 35,81 |
| от 250 | 35,60 |
Описание
Транзистор IRF7343TRPBF от Infineon — это N-канальный и P-канальный MOSFET в одном корпусе, выполненный по технологии HEXFET. Компонент предназначен для поверхностного монтажа и часто применяется в цепях управления питанием, DC/DC-преобразователях и схемах синхронного выпрямления. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой коммутационной скорости, он обеспечивает эффективное переключение в компактных устройствах.
Технические характеристики
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 2W |
| Configuration | N and P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Описание | MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A, 3.4A |
| Напряжение, В | 55 |
| Ток, А | 4,7 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?