Документация
Транзистор IRF7341TRPBF
В наличии
На своём складе
309 шт.
Норм. уп.: 1
У поставщиков
31 993 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 23,49 |
| от 20 | 22,87 |
| от 40 | 22,25 |
| от 80 | 21,63 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:31 993 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 30,13 |
| от 225 | 27,75 |
| от 450 | 26,14 |
| от 899 | 24,74 |
| от 1 797 | 23,79 |
Описание
Транзистор IRF7341TRPBF от Infineon — это мощный P-канальный MOSFET, выполненный в компактном корпусе SO-8. Компонент оптимизирован для работы в цепях с низким напряжением и отличается малым сопротивлением открытого канала. Благодаря высокой коммутационной способности, он широко применяется в схемах управления питанием, защите от обратной полярности и DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| Is | 4.7A |
| Qg | 36nC |
| Tf | 20ns |
| Tr | 4.8ns |
| Eas | 72mJ |
| GFS | 7.9S |
| Ism | 38A |
| Заряд затвор-сток | 10nC |
| Заряд затвор-исток | 3.4nC |
| Заряд обратного восстановления | 170nC |
| TRR | 90ns |
| Vds | 55V |
| Vgs | ±20V |
| Vsd | 1.2V |
| Ciss | 740pF |
| Coss | 190pF |
| Crss | 71pF |
| Тип | MOSFET |
| Dv dt | 5.0 V/ns |
| Td(вкл) | 12ns |
| Id 25c | 4.7A |
| Id 70c | 3.8A |
| Рассеиваемая мощность при 25°C | 2.0W |
| Pd 70c | 1.3W |
| Td(выкл) | 48ns |
| Vgs th | 1.0V |
| Тип | MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Tj tstg | -55 to +150 °C |
| Vbr dss | 55V |
| Idss 55c | 25µA |
| Idss макс. | 2.0µA |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 20 ns (max) |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 4.8 ns (max) |
| Rthja max | 62.5 °C/W |
| Idm импульсный | 38A |
| Rds on 10v | 0.050Ω |
| Описание | HEXFET Power MOSFET, Dual N-Channel, Generation V Technology |
| Артикул | IRF7341TRPBF |
| Rds on 4 5v | 0.065Ω |
| Dv dt rating | 5.0 V/ns |
| Igss forward | -100nA |
| Igss reverse | 100nA |
| Производитель | International Rectifier |
| Конфигурация | Dual N-Channel |
| On resistance | 0.050Ω (max at Vgs=10V, Id=4.7A); 0.065Ω (max at Vgs=4.5V, Id=3.8A) |
| Лента и катушка | Да |
| Avalanche energy | 72 mJ |
| Мощность, Вт | 2,5 |
| Заряд сток-затвор | 10 nC (max) |
| Вх. емкость | 740 pF (typ) |
| Рассеиваемая мощность | 2.0W (at 25°C); 1.3W (at 70°C) |
| Полный заряд затвора | 36 nC (max) |
| Vgsm single pulse | 30V |
| Заряд затвор-исток | 3.4 nC (max) |
| Выходная емкость | 190 pF (typ) |
| Время задержки включения | 12 ns (max) |
| Vbr dss temp coeff | 0.059 V/°C |
| Структура | 2N-канал |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 48 ns (max) |
| Напряжение сток-исток | 55V |
| Gate leakage current | 100 nA (max at Vgs=20V); -100 nA (max at Vgs=-20V) |
| Импульсный ток стока | 38A |
| Напряжение, В | 55 В |
| Напр. диода | 1.2V (max at Is=2A) |
| Время обратного восстановления | 90 ns (max) |
| Gate threshold voltage | 1.0V (min) |
| Коэффициент снижения мощности | 0.016 W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 170 nC (max) |
| Continuous drain current | 4.7A (at 25°C, Vgs=10V); 3.8A (at 70°C, Vgs=10V) |
| Прямая крутизна | 7.9 S (min) |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 71 pF (typ) |
| Gate source voltage single pulse | 30V (tp<10µs) |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.059 V/°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?