+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRF7329TRPBF
Документация

Полевой транзистор IRF7329TRPBF

Артикул:133534
У поставщика
ПроизводительInfineon
Ед. изм.шт
У поставщиков
2 440 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 440 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 10 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 182,04
от 1680,56
от 3278,59
от 6475,83
от 12872,40
Описание

Полевой транзистор IRF7329TRPBF от Infineon — это сдвоенный P-канальный MOSFET. Работает при напряжении до 20 В и токе до 9,3 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Корпус — SO-8. Подходит для управления нагрузкой в портативной и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипP-Channel MOSFET
Высота1.8mm
КорпусSO-8
Макс. Vds-12V
Макс. Vgs±8V
Тип монтажаSMD
Время спада260ns
Без свинцаДа
Время нарастания8.6ns
ТехнологияTrench
Vgs порог макс.-0.90V
Vgs порог мин.-0.40V
Low profileДа
АртикулIRF7329TRPBF
КонфигурацияDual P-Channel
Лента и катушкаДа
Rds on vgs 1.8v30mΩ
Rds on vgs 2.5v21mΩ
Rds on vgs 4.5v17mΩ
Заряд сток-затвор8.1nC
Вх. емкость3450pF
Полный заряд затвора38nC
Заряд затвор-исток6.8nC
Выходная емкость1000pF
Время задержки включения10ns
Dss leakage current-1.0µA
Время задержки выключения340ns
Gate leakage forward-100nA
Gate leakage reverse100nA
Импульсный ток стока-37A
Напр. диода-1.2V
Мощн. рас. 25°C2.0W
Power dissipation 70c1.3W
Pulsed source current-37A
Время обратного восстановления50ns
Коэффициент снижения мощности16mW/°C
Заряд обратного восстановления48nC
Прямая крутизна25S
Макс. темп. перехода150°C
Continuous source current-2.0A
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Длительный ток стока 25°C-9.2A
Continuous drain current 70c-7.4A
Обратная проходная емкость640pF
Термосопротивление переход-среда62.5°C/W
Thermal resistance junction to drain lead20°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?