Транзистор IRF7328TRPBF
У поставщика
У поставщиков
3 930 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 930 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 99,48 |
| от 14 | 97,77 |
| от 28 | 95,52 |
| от 56 | 92,38 |
| от 111 | 88,39 |
Описание
Транзистор IRF7328TRPBF от Infineon — это сдвоенный P-канальный MOSFET. Работает при напряжении до 30 В и токе до 10 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Применяется в цепях управления питанием и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Tf | 98ns |
| Tr | 15ns |
| GFS | 12S |
| Заряд затвор-сток | 8.3nC |
| Заряд затвор-исток | 9.8nC |
| Заряд обратного восстановления | 36nC |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| TRR | 37ns |
| Vsd | -1.2V |
| Ciss | 2675pF |
| Coss | 409pF |
| Crss | 262pF |
| I dss | -15µA |
| Td(вкл) | 13ns |
| Td(выкл) | 198ns |
| P d 25c | 2.0W |
| P d 70c | 1.3W |
| Корпус | SOIC-8 |
| R th ja | 62.5°C/W |
| V gs th | -1.0V to -2.5V |
| Тип монтажа | SMD |
| Qg total | 52nC |
| V(BR)DSS | -30V |
| V gs max | ±20V |
| I dss 70c | -25µA |
| Без свинца | Да |
| V dss max | -30V |
| Размеры | A: 1.35-1.75mm; B: 0.33-0.51mm; C: 0.19-0.25mm; D: 4.80-5.00mm; E: 3.80-4.00mm; H: 5.80-6.20mm; A1: 0.10-0.25mm; E1: 0.635mm; E pitch: 1.27mm |
| Ism pulsed | -32A |
| Технология | Trench Technology |
| Описание | Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | -32A |
| Артикул | IRF7328PbF |
| I gss forward | -100nA |
| I gss reverse | 100nA |
| Непрерывный | -2.0A |
| T j stg range | -55 to +150°C |
| Лента и катушка | Да |
| R ds on vgs 10v | 21mΩ |
| R ds on vgs 4 5v | 32mΩ |
| Описание | MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 8A |
| I d continuous 25c | -8.0A |
| I d continuous 70c | -6.4A |
| V br dss temp coeff | -0.018V/°C |
| Коэффициент снижения мощности | 16mW/°C |
| Напряжение, В | -30 |
| Ток, А | 8 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?