Документация
Транзистор IRF7324TRPBF
У поставщика
У поставщиков
5 864 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 863 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 103,29 |
| от 73 | 97,18 |
| от 146 | 93,07 |
| от 291 | 89,47 |
| от 582 | 87,03 |
Склад 12
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 470 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 97,29 |
| от 25 | 65,41 |
| от 250 | 60,85 |
Описание
Транзистор IRF7324TRPBF от Infineon представляет собой сдвоенный P-канальный MOSFET в компактном корпусе SO-8. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях с низким напряжением. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что минимизирует потери мощности. Широко применяется в DC/DC-преобразователях, системах управления питанием и портативной электронике.
Технические характеристики
| Dual | Да |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| Канал (N/P) | P-Channel |
| Маркировка | IRF7324 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 190ns |
| Время нарастания | 36ns |
| Шаг выводов | 1.27mm |
| Ширина ленты | 12.3mm (max) |
| Технология | Trench |
| Артикул | IRF7324TRPBF |
| Ширина корпуса | 3.81 to 3.99mm |
| Диаметр катушки | 330mm max |
| Лента и катушка | Да |
| Высота корпуса | 1.35 to 1.75mm |
| Длина корпуса | 4.80 to 4.98mm |
| Заряд сток-затвор | 12nC (typ), 18nC (max) |
| Вх. емкость | 2940pF |
| Полный заряд затвора | 42nC (typ), 63nC (max) |
| Заряд затвор-исток | 7.1nC (typ), 11nC (max) |
| Выходная емкость | 630pF |
| Размеры упаковки | SO-8: length 4.80-4.98mm, width 3.81-3.99mm, height 1.35-1.75mm |
| Время задержки включения | 17ns |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Время задержки выключения | 170ns |
| Напряжение сток-исток | 20V |
| Импульсный ток стока | 71A |
| Напр. диода | 1.2V |
| Gate drain charge max | 18nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 12nC |
| Мощн. рас. 25°C | 2.0W |
| Power dissipation 70c | 1.3W |
| Pulsed source current | 71A |
| Время обратного восстановления | 180ns (typ), 270ns (max) |
| Заряд затвора макс. | 63nC |
| Тип. заряд затвора | 42nC |
| Gate source charge max | 11nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 7.1nC |
| Gate threshold voltage | -0.45V to -1.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 16mW/°C |
| On resistance vgs 2 5v | 0.026Ω |
| On resistance vgs 4 5v | 0.018Ω |
| Напряжение затвор-исток макс. | 12V |
| Заряд обратного восстановления | 300nC (typ), 450nC (max) |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 19S |
| Continuous source current | 2.0A |
| Макс. время обрат. восстановления | 270ns |
| Тип. время восст. | 180ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.45V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Reverse recovery charge max | 450nC |
| Тип. заряд восст. | 300nC |
| Длительный ток стока 25°C | 9.0A |
| Continuous drain current 70c | 7.1A |
| Drain source leakage current | 1µA |
| Обратная проходная емкость | 420pF |
| Описание (англ.) | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V |
| Drain source leakage current 125c | 25µA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.02V/°C |
| Gate source leakage current forward | 100nA |
| Gate source leakage current reverse | 100nA |
| Static drain source on resistance 2 5v | 0.026Ω |
| Static drain source on resistance 4 5v | 0.018Ω |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?