Документация
Силовой транзистор IRF7319TRPBF
У поставщика
У поставщиков
676 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:676 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 25,22 |
Описание
Силовой MOSFET-транзистор IRF7319TRPBF от TECH PUB выполнен в компактном SMD-корпусе SOP-8. Модуль объединяет N-канальный и P-канальный транзисторы с напряжением сток-исток ±30 В и током до 7 А (N-канал) и 6 А (P-канал). Подходит для защиты аккумуляторов и управления нагрузкой в портативной и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Тип | N/P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Корпус | SOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| N channel | Заряд сток-затвор: 2 nC; Вх. емкость: 429 pF; Полный заряд затвора: 4.8 nC; Заряд затвор-исток: 1.5 nC; Выходная емкость: 59 pF; Время спада: 7.1 ns (typ); Время задержки включения: 6.8 ns (typ); Напряжение затвор-исток: ±20V; Время задержки выключения: 27 ns (typ); Напряжение сток-исток: 30V; Импульсный ток стока: 28A; Напр. диода: 0.74V at Is=1A; Gate threshold voltage: 1 to 2.5V (typ 1.67V); Gate source leakage current: ±100 nA; Длительный ток стока 25°C: 7A; Continuous drain current 70c: 5.6A; Обратная проходная емкость: 47 pF; Continuous diode forward current: 7A; Drain source on resistance at 10v: 22 mΩ (VGS=10V, ID=6A); Drain source on resistance at 4 5v: 28 mΩ (VGS=4.5V, ID=3A) |
| P channel | Заряд сток-затвор: 2.8 nC; Вх. емкость: 846 pF; Полный заряд затвора: 7.8 nC; Заряд затвор-исток: 2.7 nC; Выходная емкость: 120 pF; Время спада: 50 ns (typ); Время задержки включения: 3.6 ns (typ); Напряжение затвор-исток: ±20V; Время задержки выключения: 23 ns (typ); Напряжение сток-исток: -30V; Импульсный ток стока: -24A; Напр. диода: -0.75V at Is=-1A; Gate threshold voltage: typ -1.53V, max -2.5V; Gate source leakage current: ±100 nA; Длительный ток стока 25°C: -6A; Continuous drain current 70c: -5A; Обратная проходная емкость: 76 pF; Continuous diode forward current: -6A; Drain source on resistance at 10v: 30 mΩ (VGS=-10V, ID=-4A); Drain source on resistance at 4 5v: 45 mΩ (VGS=-4.5V, ID=-2A) |
| Применение | Battery protection, Load switch |
| Артикул | IRF7319TRPBF |
| Размеры упаковки | Шаг: 1.27 mm (BSC); Высота: 1.35 to 1.75 mm; Ширина корпуса: 3.8 to 4.0 mm; Ширина вывода: 0.33 to 0.51 mm; Длина корпуса: 4.7 to 5.1 mm; Длина вывода: 0.4 to 1.27 mm |
| Мощн. рас. 25°C | 1.7W |
| Power dissipation 70c | 1.1W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 73.5 °C/W |
| Тип транзистора | N/P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?