Документация
Транзистор полевой IRF7313TRPBF-VB
У поставщика
У поставщиков
7 300 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:7 300 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 21,74 |
| от 300 | 16,95 |
Описание
Транзистор полевой IRF7313TRPBF-VB от VBSEMI представляет собой мощный MOSFET-ключ, выполненный по технологии N-канала. Компонент оптимизирован для работы в цепях с низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность преобразования. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и схемах управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Тип | Dual N-Channel MOSFET |
| Сопротивление сток-исток | 0.022Ω @ VGS=10V, ID=5A; 0.026Ω @ VGS=4.5V, ID=4A |
| Vgs th | 1.0V to 2.5V |
| Корпус | SO-8 (SOIC-8) |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Особенности | TrenchFET, 100% UIS tested, 100% Rg tested, RoHS compliant, Halogen-free |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 8ns (VGEN=4.5V), 6ns (VGEN=10V) |
| Шаг выводов | 1.27mm |
| Время нарастания | 55ns (VGEN=4.5V), 9ns (VGEN=10V) |
| Размеры | 4.80-5.00mm x 3.80-4.00mm x 1.35-1.75mm |
| Применение | Set Top Box, Low Current DC/DC |
| Корпус | SO-8 |
| Gate resistance | 0.8Ω min, 4.3Ω typ, 8.6Ω max |
| Вх. емкость | 586pF |
| Рассеиваемая мощность | 2.7W (TC=25°C), 1.77W (TC=70°C), 1.87W (TA=25°C), 1.14W (TA=70°C) |
| Полный заряд затвора | 15nC (VGS=10V), 5.6nC (VGS=4.5V) |
| Выходная емкость | 117pF |
| Время задержки включения | 12ns (VGEN=4.5V), 4ns (VGEN=10V) |
| Структура | 2N-канал |
| Темп. хранения | -55°C to 150°C |
| Время задержки выключения | 11ns (VGEN=4.5V), 10ns (VGEN=10V) |
| Импульсный ток стока | 30A |
| Раб. температура | -55°C to 150°C |
| Время обратного восстановления | 11ns typ, 20ns max |
| Заряд обратного восстановления | 4nC typ, 8nC max |
| Body diode pulse current | 24A |
| Continuous drain current | 6.8A (TC=25°C), 5.6A (TC=70°C), 6.2A (TA=25°C), 5.2A (TA=70°C) |
| Body diode forward voltage | 0.8V typ, 1.2V max |
| Обратная проходная емкость | 55pF |
| Body diode continuous current | 2.25A (TC=25°C) |
| Thermal resistance junction to foot | 38°C/W typ, 45°C/W max |
| Термосопротивление переход-среда | 58°C/W typ (t≤10s), 70°C/W max (t≤10s), 110°C/W steady state |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 |