Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF7313TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов Infineon Technologies, 30В, 6.5А, 2.0Вт, 0.029 Ом, корпус SOIC-8
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
16 911 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:15 221 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 46,69 |
| от 139 | 43,46 |
| от 277 | 41,29 |
| от 553 | 39,39 |
| от 1 105 | 38,11 |
Склад 38
В наличии:1 690 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 30,59 |
Описание
IRF7313TRPBF — сборка из двух N-канальных MOSFET-транзисторов производства Infineon Technologies. Компонент рассчитан на напряжение 30 В и ток до 6,5 А, имеет низкое сопротивление открытого канала 0,029 Ом. Транзисторы выполнены в компактном корпусе SOIC-8 и предназначены для применения в цепях управления нагрузкой, DC/DC-преобразователях и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 6.6 A |
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 10ns |
| Кол-во выводов | 8 |
| Время нарастания | 10ns |
| Описание | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Gate charge | 11nC |
| Артикул | IRF7313TRPBF |
| Channel type | N-Channel |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Конфигурация | Dual |
| On resistance | 0.029 Ohm |
| Входное сопротивление | 2.5 Ohm |
| Мощность, Вт | 2,5 |
| Тип. время спада | 10ns |
| Заряд сток-затвор | 3.5nC |
| Вх. емкость | 710pF |
| Рассеиваемая мощность | 2.0W |
| Тип. время нарастания | 10ns |
| Полный заряд затвора | 11nC |
| Заряд затвор-исток | 2.2nC |
| Выходная емкость | 270pF |
| Время задержки включения | 7ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 20ns |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 52A |
| Напряжение, В | 30 V |
| Gate threshold voltage | 1V to 2.5V |
| Continuous drain current | 6.5A |
| Прямая крутизна | 15S |
| Gate drain charge typical | 3.5nC |
| Типовая входная емкость | 710pF |
| Gate source charge typical | 2.2nC |
| Тип. выходная емкость | 270pF |
| Turn on delay time typical | 7ns |
| Gate source leakage current | ±100nA |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Turn off delay time typical | 20ns |
| Drain source leakage current | 1µA |
| Forward transconductance min | 15S |
| Обратная проходная емкость | 110pF |
| Drain source on state voltage | 0.15V |
| Gate source leakage current max | ±100nA |
| Drain source leakage current max | 1µA |
| Drain source on state voltage max | 0.15V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 25°C/W |
| Reverse transfer capacitance typical | 110pF |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction to case typical | 25°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typical | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?