Документация
Полевой транзистор IRF730PBF
У поставщика
У поставщиков
975 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:970 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 78,80 |
| от 28 | 72,91 |
| от 50 | 68,09 |
| от 150 | 64,49 |
| от 250 | 61,80 |
Склад 12
В наличии:5 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 300 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 49,68 |
| от 30 | 45,53 |
Описание
Полевой транзистор (MOSFET) IRF730PBF от Vishay — ключевой компонент для силовой электроники. Выполнен по технологии N-канала, что обеспечивает высокую эффективность переключения. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и схемах управления двигателями. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой надежностью.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 14ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 35ns |
| Технология | N-Channel MOSFET |
| Артикул | IRF730PBF |
| Channel type | N-Channel |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Конфигурация | Single |
| Тип. время спада | 14ns |
| Тип. время нарастания | 23ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Заряд сток-затвор | 22nC |
| Вх. емкость | 700pF |
| Полный заряд затвора | 38nC |
| Body diode voltage | 1.6V (max) |
| Заряд затвор-исток | 5.7nC |
| Выходная емкость | 170pF |
| Время задержки включения | 10ns |
| Структура | N-канал |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 38ns |
| Напряжение сток-исток | 400V |
| Импульсный ток стока | 22A |
| Gate drain charge max | 22nC |
| Тип. входная емкость | 700pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 74W |
| Заряд затвора макс. | 38nC |
| Body diode voltage max | 1.6V |
| Gate source charge max | 5.7nC |
| Gate threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.59W/°C |
| Выходная емкость тип. | 170pF |
| Время задержки вкл. тип. | 10ns |
| Gate source leakage max | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 35ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Avalanche test condition | VDD=50V, starting TJ=25°C, L=16mH, RG=25Ω, IAS=5.5A |
| Макс. напряжение сток-исток | 400V |
| Прямая крутизна | 2.9S (min) |
| Pulsed drain current max | 22A |
| Switching test condition | VDD=200V, ID=3.5A, RG=12Ω, RD=57Ω |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Maximum power dissipation | 74W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.0V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Capacitance test condition | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz |
| Gate charge test condition | ID=3.5A, VDS=320V, VGS=10V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 7.4mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 5.5A |
| Forward transconductance typ | 2.9S |
| Pulsed diode forward current | 22A |
| Repetitive avalanche current | 5.5A |
| Обратная проходная емкость | 64pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Непрерывный ток стока 100°C | 3.5A |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Энергия одиноч. импульса | 290mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 400V |
| Макс. Rси вкл. | 1.0Ω |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| Repetitive avalanche energy max | 7.4mJ |
| Reverse recovery test condition | TJ=25°C, IF=3.5A, dI/dt=100A/μs |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W |
| Zero gate voltage drain current | 25μA (at 25°C), 250μA (at 125°C) |
| Body diode reverse recovery time | 270ns (typ), 530ns (max) |
| Drain source on state resistance | 1.0Ω (max) at VGS=10V, ID=3.3A |
| Peak diode recovery dv dt rating | 4.0V/ns |
| Repetitive avalanche current max | 5.5A |
| Обр. проходная емкость тип. | 64pF |
| Body diode voltage test condition | TJ=25°C, IS=5.5A, VGS=0V |
| Pulsed source drain diode current | 22A |
| Single pulse avalanche energy max | 290mJ |
| Body diode reverse recovery charge | 1.8μC (typ), 2.2μC (max) |
| Gate source leakage test condition | VGS=±20V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.50°C/W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.7°C/W |
| Body diode reverse recovery time max | 530ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 270ns |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Continuous source drain diode current | 5.5A |
| Gate threshold voltage test condition | VDS=VGS, ID=250μA |
| Body diode reverse recovery charge max | 2.2μC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 1.8μC |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Forward transconductance test condition | VDS=50V, ID=3.3A |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.7°C/W |
| Zero gate voltage drain current max 25c | 25μA |
| Zero gate voltage drain current max 125c | 250μA |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.54V/°C |
| Drain source on resistance test condition | VGS=10V, ID=3.3A |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
| Drain source breakdown voltage test condition | VGS=0V, ID=250μA |
| Zero gate voltage drain current test condition | VDS=400V, VGS=0V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?