Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRF7306TRPBF, Сборка из двух полевых P-канальных транзисторов Infineon Technologies, 30В, 3.6А, 2.0Вт, корпус SOIC-8
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 645 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 645 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,42 |
| от 62 | 57,03 |
| от 124 | 53,54 |
| от 248 | 50,49 |
| от 496 | 48,44 |
Описание
IRF7306TRPBF — это сборка из двух P-канальных полевых транзисторов (MOSFET) от Infineon Technologies. Компоненты рассчитаны на напряжение до 30 В и ток до 3,6 А, рассеиваемая мощность составляет 2,0 Вт. Выполнены в компактном корпусе SOIC-8, что делает их удобными для применения в цепях управления питанием, коммутации нагрузки и в DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| Сопротивление сток-исток | 0.1Ω |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 5.3 А |
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 20ns |
| Кол-во выводов | 8 |
| Время нарастания | 15ns |
| Current id | 3.6A |
| Размеры | 4.9mm x 3.9mm x 1.75mm |
| Voltage vds | 30V |
| Channel type | P-Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | Dual P-Channel MOSFET |
| Мощность, Вт | 2,5 |
| Gate charge total | 10nC |
| Заряд сток-затвор | 3.0nC |
| Вх. емкость | 520pF |
| Рассеиваемая мощность | 2.0W |
| Заряд затвор-исток | 2.0nC |
| Выходная емкость | 150pF |
| Время задержки включения | 10ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 30ns |
| Импульсный ток стока | 14A |
| Напряжение, В | 30 В |
| Напр. диода | 1.2V |
| Gate threshold voltage | 1V |
| Continuous drain current | 3.6A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Diode reverse recovery time | 20ns |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 50pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 20°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?