Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.3А 2.5Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 280 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 280 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 129,41 |
| от 33 | 121,37 |
| от 66 | 114,99 |
| от 132 | 109,39 |
| от 263 | 105,62 |
Описание
Infineon MOSFET N-канальный транзистор IRF7201TRPBF. Рабочее напряжение 30 В, ток до 7.3 А, мощность рассеивания 2.5 Вт. Компонент выполнен в компактном корпусе SO-8. Подходит для цепей управления питанием и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SO-8 |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 19ns |
| Footprint | 8x 0.72mm pads |
| Ток стока импульсный | 58A |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 35ns |
| Пайка | vapor phase, infra red, or wave soldering |
| Размеры | A: 1.35-1.75mm; B: 0.33-0.51mm; C: 0.19-0.25mm; D: 4.80-5.00mm; E: 3.80-4.00mm; H: 5.80-6.20mm; K: 0.25-0.50mm; L: 0.40-1.27mm; A1: 0.10-0.25mm; E1: 0.635mm; Угол: 0-8°; E pitch: 1.27mm |
| Rds(вкл) макс. | 0.030Ω |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| Описание | N-Channel MOSFET |
| Артикул | IRF7201TRPBF |
| Заряд сток-затвор | 6.3nC |
| Ток стока непрерывный 25C | 7.3A |
| Непрерывный ток стока 70°C | 5.8A |
| Вх. емкость | 550pF |
| Rds on conditions | VGS=10V, ID=7.3A |
| Полный заряд затвора | 19nC |
| Заряд затвор-исток | 2.3nC |
| Выходная емкость | 260pF |
| Время задержки включения | 7.0ns |
| Время задержки выключения | 21ns |
| Vgs single pulse max | 30V |
| Мин. пробойное напр. | 30V |
| Напр. диода | 1.2V |
| Мощн. рас. 25°C | 2.5W |
| Power dissipation 70c | 1.6W |
| Pulsed source current | 58A |
| Время обратного восстановления | 48ns |
| Коэффициент снижения мощности | 0.02W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 73nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 5.8S |
| Continuous source current | 2.5A |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Breakdown voltage temp coeff | 0.024V/°C |
| Обратная проходная емкость | 100pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| Avalanche energy single pulse | 70mJ |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 1.0µA |
| Drain source leakage current 125c | 25µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?