Документация
IRF7105TRPBF-VB
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
21 518 шт.
Норм. уп.: 200
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт9,96 ₽
Сумма996,00 ₽
В наличии18 618 шт
от 100 штюрлицам и ИП
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии2 900 шт
от 2 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 2 000 штпри 2 000 — 20,79 ₽
100 шт · Склад 39 · 996,00 ₽
Описание
Полевой MOSFET IRF7105TRPBF-VB от VBSEMI в корпусе SO-8 для поверхностного монтажа. Содержит N- и P-канальные транзисторы с максимальным напряжением сток-исток 30 В и током сток-исток до 6,8 и 6,6 А при 25 °C. Рабочий диапазон температур — от -55 до 150 °C. Подходит для импульсных источников питания, драйверов и схем коммутации в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| N-канал | Вх. емкость: 510pF; Выходная емкость: 95pF; Сопротивление затвора, макс.: 2.3Ω; Тип. сопротивление затвора: 1.1Ω; Напряжение затвор-исток: ±20V; Импульсный ток стока: 40A; Напряжение сток-исток: 30V; Заряд затвора макс.: 10nC; Тип. заряд затвора: 6nC; Макс. напряжение диода тела: 1.2V; Body diode voltage typ: 0.81V; Пороговое напряжение затвора: 1.0V to 2.0V; Рассеиваемая мощность при 25 °C: 2W; Рассеиваемая мощность при TC 25 °C: 3.1W; Макс. время обрат. восстановления: 25ns; Тип. время восст.: 12ns; Обратная проходная емкость: 33pF; Энергия одиноч. импульса: 5mJ; Ток лавинного пробоя одиночного импульса: 10A; Current drain continuous ta 25c: 6.8A; Current drain continuous tc 25c: 8A; Resistance drain source on vgs 8v: 0.020Ω; Resistance drain source on vgs 10v: 0.018Ω; Resistance drain source on vgs 4.5v: 0.024Ω; Непрерывный ток диода исток-сток: 2.6A |
| P-канал | Вх. емкость: 620pF; Выходная емкость: 115pF; Сопротивление затвора, макс.: 9.6Ω; Тип. сопротивление затвора: 5.7Ω; Напряжение затвор-исток: ±20V; Импульсный ток стока: -40A; Напряжение сток-исток: -30V; Заряд затвора макс.: 63nC; Тип. заряд затвора: 41.5nC; Макс. напряжение диода тела: -1.2V; Body diode voltage typ: -0.77V; Пороговое напряжение затвора: -1.0V to -2.0V; Рассеиваемая мощность при 25 °C: 2W; Рассеиваемая мощность при TC 25 °C: 3.2W; Макс. время обрат. восстановления: 57ns; Тип. время восст.: 31ns; Обратная проходная емкость: 57pF; Энергия одиноч. импульса: 20mJ; Ток лавинного пробоя одиночного импульса: -20A; Current drain continuous ta 25c: -6.6A; Current drain continuous tc 25c: -8A; Resistance drain source on vgs neg8v: 0.044Ω; Непрерывный ток диода исток-сток: -2.6A; Resistance drain source on vgs neg10v: 0.040Ω; Resistance drain source on vgs neg4.5v: 0.050Ω |
| Структура | P-канал |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Thermal resistance junction foot max | 40°C/W (N), 38°C/W (P) |
| Thermal resistance junction foot typ | 30°C/W (N), 29°C/W (P) |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 62.5°C/W |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда, тип. | 50°C/W (N), 47°C/W (P) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.8/6.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?