Документация
IRF7105TRPBF-VB
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 900 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 900 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 2000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 24,84 |
| от 200 | 19,62 |
Описание
Транзистор IRF7105TRPBF-VB от VBSEMI — это сдвоенный N- и P-канальный MOSFET в корпусе SO-8 для поверхностного монтажа. Работает при напряжении до 30 В, выдерживает импульсный ток до 40 А и имеет низкое сопротивление открытого канала (18 мОм для N-канала и 40 мОм для P-канала при 10 В). Подходит для компактных схем управления питанием в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| N channel | Вх. емкость: 510pF; Выходная емкость: 95pF; Gate resistance max: 2.3Ω; Gate resistance typ: 1.1Ω; Voltage gate source: ±20V; Current drain pulsed: 40A; Voltage drain source: 30V; Заряд затвора макс.: 10nC; Тип. заряд затвора: 6nC; Body diode voltage max: 1.2V; Body diode voltage typ: 0.81V; Gate threshold voltage: 1.0V to 2.0V; Power dissipation ta 25c: 2W; Power dissipation tc 25c: 3.1W; Макс. время обрат. восстановления: 25ns; Тип. время восст.: 12ns; Обратная проходная емкость: 33pF; Энергия одиноч. импульса: 5mJ; Single pulse avalanche current: 10A; Current drain continuous ta 25c: 6.8A; Current drain continuous tc 25c: 8A; Resistance drain source on vgs 8v: 0.020Ω; Resistance drain source on vgs 10v: 0.018Ω; Resistance drain source on vgs 4.5v: 0.024Ω; Continuous source drain diode current: 2.6A |
| P channel | Вх. емкость: 620pF; Выходная емкость: 115pF; Gate resistance max: 9.6Ω; Gate resistance typ: 5.7Ω; Voltage gate source: ±20V; Current drain pulsed: -40A; Voltage drain source: -30V; Заряд затвора макс.: 63nC; Тип. заряд затвора: 41.5nC; Body diode voltage max: -1.2V; Body diode voltage typ: -0.77V; Gate threshold voltage: -1.0V to -2.0V; Power dissipation ta 25c: 2W; Power dissipation tc 25c: 3.2W; Макс. время обрат. восстановления: 57ns; Тип. время восст.: 31ns; Обратная проходная емкость: 57pF; Энергия одиноч. импульса: 20mJ; Single pulse avalanche current: -20A; Current drain continuous ta 25c: -6.6A; Current drain continuous tc 25c: -8A; Resistance drain source on vgs neg8v: 0.044Ω; Continuous source drain diode current: -2.6A; Resistance drain source on vgs neg10v: 0.040Ω; Resistance drain source on vgs neg4.5v: 0.050Ω |
| Корпус | SO-8 |
| Структура | P-канал |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Thermal resistance junction foot max | 40°C/W (N), 38°C/W (P) |
| Thermal resistance junction foot typ | 30°C/W (N), 29°C/W (P) |
| Thermal resistance junction ambient max | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction ambient typ | 50°C/W (N), 47°C/W (P) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.8/6.6 |