+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRF7104TRPBF
Документация

Транзистор полевой IRF7104TRPBF / DUAL P-канал, SO-8, 2,3А, 20В

Артикул:716640
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
8 912 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 912 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
Минимальная партия: 14 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 157,42
от 12753,53
от 25450,93
от 50748,65
от 1 01347,10
Описание

Транзистор полевой IRF7104TRPBF от Infineon — это сдвоенный P-канальный MOSFET в компактном корпусе SO-8. Компонент рассчитан на ток до 2,3 А и напряжение 20 В, что делает его подходящим для цепей управления питанием и коммутации нагрузки. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала обеспечивает эффективное переключение в компактных устройствах.

Технические характеристики
Вес0.08g
КорпусSO-8
Тип монтажаSMD
Время спада35ns
Кол-во выводов8
Время нарастания35ns
ОписаниеDUAL P-Channel MOSFET, SO-8
Gate charge12nC
АртикулIRF7104TRPBF
Channel typeP-Channel
Channel polarityDual P-Channel
Заряд сток-затвор3.6nC
Вх. емкость690pF
Рассеиваемая мощность2W
Заряд затвор-исток2.4nC
Выходная емкость310pF
Время задержки включения8ns
Напряжение затвор-исток±8V
Время задержки выключения45ns
Diode pulsed current6.8A
Напряжение сток-исток20V
Макс. темп. вывода300°C
Напр. диода1.2V
Gate threshold voltage1V to 2V
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Continuous drain current2.3A
Diode continuous current1.7A
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Drain source on resistance0.1Ω
Diode reverse recovery time35ns
Диап. раб. темп.-55°C to +150°C
Обратная проходная емкость110pF
Описание (англ.)MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Junction to case thermal resistance20°C/W
Junction to ambient thermal resistance62.5°C/W
Термосопротивление переход-среда62.5°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?