Документация
Транзистор IRF7103TRPBF
В наличии
На своём складе
29 шт.
Норм. уп.: 1
У поставщиков
63 шт.
Норм. уп.: 4000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 21,06 |
| от 20 | 20,50 |
| от 40 | 19,95 |
| от 80 | 19,40 |
Цены поставщиков
Склад 38
В наличии:58 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 19,25 |
Склад 14
В наличии:5 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 4000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 4 000 | 34,74 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET от Infineon. Работает с напряжением до 30 В и током до 3,5 А, выпускается в компактном корпусе SO-8. Подходит для коммутации нагрузок в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 8 |
| Технология | N-Channel MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Typ fall time | 10ns |
| Typ rise time | 8ns |
| Ном. ток | 3.5A |
| Ном. напряжение | 20V |
| Gate charge total | 8nC |
| Вх. емкость | 400pF |
| Рассеиваемая мощность | 2W |
| Выходная емкость | 150pF |
| Drain source resistance | 0.1Ω |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Обратная проходная емкость | 50pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?