Документация
IRF7101PBF, транзистор 2N канал 20В 3.5А SO8
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 85
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 85
Минимальная партия: 850 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 31,05 |
| от 85 | 21,84 |
Описание
Infineon IRF7101PBF — это сдвоенный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SO-8 для поверхностного монтажа. Компонент рассчитан на напряжение сток-исток до 20 В и ток до 3.5 А при сопротивлении открытого канала 0.1 Ом. Благодаря компактному исполнению и низкому пороговому напряжению 1-2 В подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Цоколевка | D1: 7, 8; D2: 5, 6; G1: 2; G2: 4; S1: 1; S2: 3 |
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | IRF7101PBF |
| Корпус | SO-8 |
| Конфигурация | Dual |
| Drain current | 3.5A |
| Описание | MOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 10nC |
| Структура | 2N-канал |
| Напряжение сток-исток | 20V |
| Gate threshold voltage | 1-2V |
| Drain source resistance | 0.1Ω |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Напряжение, В | 20 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?