Документация
Транзистор полевой IRF644PBF
У поставщика
У поставщиков
924 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:924 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 148,67 |
| от 9 | 146,48 |
| от 18 | 143,67 |
| от 35 | 139,78 |
| от 100 | 134,58 |
Описание
Полевой транзистор IRF644PBF от Vishay представляет собой мощный MOSFET с изолированным затвором. Компонент предназначен для применения в высокоскоростных переключательных схемах и импульсных источниках питания. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой эффективностью работы.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 49 ns typ |
| Время нарастания | 24 ns typ |
| Технология | Power MOSFET (Third generation) |
| Артикул | IRF644PBF |
| Корпус | TO-220AB |
| Конфигурация | Single N-Channel |
| Соотв. RoHS | yes (PbF version) |
| Момент затяжки | 10 lbf·in / 1.1 N·m |
| Заряд сток-затвор | 35 nC max |
| Вх. емкость | 1300 pF typ |
| Полный заряд затвора | 68 nC max |
| Заряд затвор-исток | 11 nC max |
| Выходная емкость | 330 pF typ |
| Время задержки включения | 11 ns typ |
| Gate source leakage | ±100 nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Время задержки выключения | 53 ns typ |
| Напряжение сток-исток | 250V |
| Импульсный ток стока | 56A |
| Gate input resistance | 0.3 to 1.2 Ω |
| Gate threshold voltage | 2.0 to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0 W/°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 6.7 S typ at Vds=50V, Id=8.4A |
| Body diode pulsed current | 56A |
| Internal drain inductance | 4.5 nH typ |
| Maximum power dissipation | 125W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.8 V/ns |
| Body diode forward voltage | 1.8V max at Is=14A, Vgs=0V |
| Drain source on resistance | 0.28Ω max at Vgs=10V, Id=8.4A |
| Internal source inductance | 7.5 nH typ |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 14A |
| Repetitive avalanche current | 14A |
| Обратная проходная емкость | 85 pF typ |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB |
| Body diode continuous current | 14A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 8.5A |
| Энергия одиноч. импульса | 550mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 250V min |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50 °C/W typ |
| Zero gate voltage drain current | 25 µA at 250V, 250 µA at 200V 125°C |
| Body diode reverse recovery time | 250 ns typ, 500 ns max |
| Body diode reverse recovery charge | 2.3 µC typ, 4.6 µC max |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.0 °C/W max |
| Термосопротивление переход-среда | 62 °C/W max |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.34 V/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?