Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
950 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:950 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 113,85 |
| от 10 | 108,36 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Vishay. Работает при напряжении до 200 В и токе до 18 А, мощность рассеивания — 3,1 Вт. Выполнен в корпусе D2Pak (TO-263) для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Тип. время спада | 36ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип. время нарастания | 51ns |
| Лавинный ток | 18A |
| Структура | N-канал |
| Импульсный ток стока | 72A |
| Gate drain charge max | 39nC |
| Тип. входная емкость | 1300pF |
| Заряд затвора макс. | 70nC |
| Gate source charge max | 13nC |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0W/°C |
| Выходная емкость тип. | 430pF |
| Power dissipation case | 130W |
| Время задержки вкл. тип. | 14ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 45ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 200V |
| Gate input resistance max | 3.6Ω |
| Gate input resistance min | 0.5Ω |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0V/ns |
| Power dissipation ambient | 3.1W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 18A |
| Forward transconductance min | 6.7S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, 3.1W |
| Непрерывный ток стока 100°C | 11A |
| Энергия одиноч. импульса | 580mJ |
| Body diode forward voltage max | 2.0V |
| Макс. Rси вкл. | 0.18Ω |
| Обр. проходная емкость тип. | 130pF |
| Pulsed source drain diode current | 72A |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 200V |
| Body diode reverse recovery time max | 610ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 300ns |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Thermal resistance junction case max | 1.0 °C/W |
| Continuous source drain diode current | 18A |
| Body diode reverse recovery charge max | 7.1μC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 3.4μC |
| Thermal resistance junction ambient max | 40 °C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?