Транзисторы и сборки MOSFET IRF640SPBF
У поставщика
ПроизводительVISH/IR
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
642 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:642 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 236,41 |
| от 17 | 224,89 |
| от 29 | 218,60 |
| от 49 | 213,54 |
| от 81 | 209,06 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор производства Vishay (IR), выполненный в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа. Относится к серии силовых транзисторов с изолированным затвором, рассчитанных на работу в цепях с высокими токами и напряжениями. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и силовой коммутационной аппаратуре. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения.
Технические характеристики
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263 (D2PAK) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Напряжение, В | 200 |
| Ток, А | 18 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?