Документация
Транзистор IRF640PBF
У поставщика
У поставщиков
1 549 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 549 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 70,53 |
| от 50 | 65,65 |
| от 150 | 61,78 |
| от 250 | 58,40 |
| от 450 | 56,11 |
Описание
Транзистор IRF640PBF от Vishay — это мощный N-канальный полевой MOSFET, предназначенный для высокоскоростной коммутации. Компонент выполнен в изолированном корпусе TO-220AB, что упрощает монтаж и обеспечивает надежное рассеивание тепла. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала, модель подходит для импульсных источников питания, DC/DC-преобразователей и схем управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 36 ns |
| Время нарастания | 51 ns |
| Артикул | IRF640PBF |
| Конфигурация | Single |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Заряд сток-затвор | 39 nC |
| Вх. емкость | 1300 pF |
| Рассеиваемая мощность | 125W @ TC=25°C |
| Полный заряд затвора | 70 nC max |
| Заряд затвор-исток | 13 nC |
| Выходная емкость | 430 pF |
| Время задержки включения | 14 ns |
| Gate source leakage | ±100 nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Напряжение сток-исток | 200V |
| Импульсный ток стока | 72A |
| Gate input resistance | 0.5Ω min to 3.6Ω max |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0 W/°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Continuous drain current | 18A @ TC=25°C; 11A @ TC=100°C |
| Прямая крутизна | 6.7 S min |
| Peak diode recovery dvdt | 5.0 V/ns |
| Internal drain inductance | 4.5 nH |
| Body diode forward voltage | 2.0V max |
| Capacitance test frequency | 1.0 MHz |
| Drain source on resistance | 0.18Ω max @ VGS=10V, ID=11A |
| Internal source inductance | 7.5 nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 13mJ |
| Repetitive avalanche current | 18A |
| Обратная проходная емкость | 130 pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
| Энергия одиноч. импульса | 580mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200V |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50 °C/W typ |
| Zero gate voltage drain current | 25 µA @ VDS=200V; 250 µA @ VDS=160V, Tj=125°C |
| Body diode reverse recovery time | 300 ns typ, 610 ns max |
| Pulsed source drain diode current | 72A |
| Body diode reverse recovery charge | 3.4 µC typ, 7.1 µC max |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.0 °C/W max |
| Continuous source drain diode current | 18A |
| Термосопротивление переход-среда | 62 °C/W max |
| Operating junction and storage temperature range | -55°C to +150°C |
| Drain source breakdown voltage temperature coefficient | 0.29 V/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?