Документация
Транзистор IRF640NPBF
В наличии
На своём складе
1 728 шт.
Норм. уп.: 1
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 25,31 |
| от 20 | 24,65 |
| от 40 | 23,98 |
| от 80 | 23,31 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET от Infineon. Работает при напряжении до 200 В и токе до 18 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Выпускается в корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и схем управления двигателями в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Tf | 5.5ns |
| Tr | 19ns |
| GFS | 6.8S |
| I s | 18A |
| Заряд обратного восстановления | 929nC |
| T j | -55 to +175°C |
| TRR | 167ns |
| Ciss | 1160pF |
| Coss | 185pF |
| Crss | 53pF |
| E ar | 15mJ |
| E as | 247mJ |
| I ar | 18A |
| I sm | 72A |
| Тип | Power MOSFET |
| V gs | ±20V |
| Dv dt | 8.1 V/ns |
| T stg | -55 to +175°C |
| Td(вкл) | 10ns |
| V dss | 200V |
| Макс. заряд затвора | 67nC |
| Td(выкл) | 23ns |
| I d 25c | 18A |
| P d 25c | 150W |
| Корпус | TO-220AB |
| Qgd max | 33nC |
| Qgs max | 11nC |
| R ds on | 0.15Ω |
| R th cs | 0.50 °C/W |
| I d 100c | 13A |
| Тип монтажа | Выводной |
| V sd max | 1.3V |
| Компонент | IRF640NPBF |
| I dss max | 25µA |
| I gss max | 100nA |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| I dm pulsed | 72A |
| Артикул | IRF640N |
| R ds on max | 0.15Ω |
| R th ja max | 62 °C/W |
| R th jc max | 1.0 °C/W |
| V gs th max | 4.0V |
| V gs th min | 2.0V |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип. время спада | 5.5ns |
| Тип. время нарастания | 19ns |
| I dss 150c max | 250µA |
| Темп. пайки | 300°C for 10s |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| R th ja pcb max | 40 °C/W |
| Диапазон температур хранения | -55 to +175°C |
| Структура | N-канал |
| Импульсный ток стока | 72A |
| Avalanche current max | 18A |
| Тип. входная емкость | 1160pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150W |
| Заряд затвора макс. | 67nC |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 185pF |
| Время задержки вкл. тип. | 10ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 23ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 200V |
| Gate to drain charge max | 33nC |
| Body diode pulsed current | 72A |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Gate to source charge max | 11nC |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 8.1V/ns |
| Макс. время обрат. восстановления | 251ns |
| Тип. время восст. | 167ns |
| Operating junction temp max | 175°C |
| Operating junction temp min | -55°C |
| Reverse recovery charge max | 1394nC |
| Тип. заряд восст. | 929nC |
| Длительный ток стока 25°C | 18A |
| Forward transconductance min | 6.8S |
| Body diode continuous current | 18A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 13A |
| Gate source leakage current max | ±100nA |
| Repetitive avalanche energy max | 15mJ |
| Drain source leakage current max | 25µA |
| Обр. проходная емкость тип. | 53pF |
| Single pulse avalanche energy max | 247mJ |
| Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.50°C/W |
| Drain source leakage current 150c max | 250µA |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.0°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount max | 40°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?