Документация
Транзистор IRF640NPBF
В наличии
На своём складе
1 778 шт.
Норм. уп.: 50
У поставщиков
10 085 шт.
Норм. уп.: 5
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 24,29 |
| от 20 | 23,61 |
| от 40 | 22,93 |
| от 80 | 22,42 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:7 165 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 33,58 |
| от 150 | 30,87 |
| от 250 | 28,69 |
| от 450 | 26,81 |
| от 850 | 25,54 |
Склад 12
В наличии:2 920 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 39,33 |
| от 5 | 35,56 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET от Infineon. Работает при напряжении до 200 В и токе до 18 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Выпускается в корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и схем управления двигателями в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Тип | Power MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | THT |
| Компонент | IRF640NPBF |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| R ds on max | 0.15Ω |
| Производитель | International Rectifier |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип. время спада | 5.5ns |
| Тип. время нарастания | 19ns |
| Диапазон температур хранения | -55 to +175°C |
| Структура | N-канал |
| Импульсный ток стока | 72A |
| Avalanche current max | 18A |
| Тип. входная емкость | 1160pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150W |
| Заряд затвора макс. | 67nC |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Выходная емкость тип. | 185pF |
| Время задержки вкл. тип. | 10ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 23ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 200V |
| Gate to drain charge max | 33nC |
| Body diode pulsed current | 72A |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Gate to source charge max | 11nC |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 8.1V/ns |
| Макс. время обрат. восстановления | 251ns |
| Тип. время восст. | 167ns |
| Operating junction temp max | 175°C |
| Operating junction temp min | -55°C |
| Reverse recovery charge max | 1394nC |
| Тип. заряд восст. | 929nC |
| Длительный ток стока 25°C | 18A |
| Forward transconductance min | 6.8S |
| Body diode continuous current | 18A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 13A |
| Gate source leakage current max | ±100nA |
| Repetitive avalanche energy max | 15mJ |
| Drain source leakage current max | 25µA |
| Обр. проходная емкость тип. | 53pF |
| Single pulse avalanche energy max | 247mJ |
| Тип. тепловое сопротивление корпус-радиатор | 0.50°C/W |
| Drain source leakage current 150c max | 250µA |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.0°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount max | 40°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?