Транзисторы и сборки MOSFET IRF640N
У поставщика
ПроизводительEVVO
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
932 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:932 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 42,02 |
| от 93 | 38,10 |
| от 156 | 35,89 |
| от 261 | 34,14 |
| от 433 | 32,85 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) IRF640N от производителя EVVO — мощный ключевой компонент с изолированным затвором для коммутации электрических цепей. Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и схемах управления нагрузкой. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения, что обеспечивает эффективную работу в силовых устройствах.
Технические характеристики
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 11A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Напряжение, В | 200 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?