Документация
Транзистор IRF6218PBF
У поставщика
У поставщиков
1 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 538,51 |
| от 6 | 508,82 |
| от 11 | 484,64 |
| от 21 | 466,67 |
| от 50 | 453,31 |
Описание
Транзистор IRF6218PBF от Infineon — это P-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET), выполненный в корпусе TO-220. Предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях с отрицательным напряжением. Отличается низким сопротивлением открытого канала и оптимизирован для применений, требующих высокой эффективности и надежности.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AB |
| Макс. Vds | -150V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | P-channel |
| Время спада | 30ns typ |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 70ns typ |
| Описание | P-Channel SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRF6218PBF |
| Тестовая частота | 1.0MHz |
| Момент затяжки | 10lbf·in (1.1N·m) |
| Лавинный ток | -16A max |
| Заряд сток-затвор | 32nC typ |
| Вх. емкость | 2210pF typ at VDS=-25V |
| Полный заряд затвора | 71nC typ, 110nC max at ID=-16A, VDS=-120V, VGS=-10V |
| Заряд затвор-исток | 21nC typ |
| Выходная емкость | 370pF typ at VDS=-25V |
| Время задержки включения | 21ns typ |
| Время задержки выключения | 35ns typ |
| Импульсный ток стока | -110A |
| Напр. диода | -1.6V max at IS=-16A, VGS=0V |
| Время обратного восстановления | 150ns typ at IF=-16A, VDD=-25V, di/dt=-100A/µs |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Gate threshold voltage | -3.0V to -5.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 1.6W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 860nC typ at IF=-16A, VDD=-25V, di/dt=-100A/µs |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 11S at VDS=-50V, ID=-16A |
| Max power dissipation 25c | 250W |
| Output capacitance vds 1v | 2220pF typ at VDS=-1V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 8.2V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 175°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | -100nA at VGS=-20V |
| Обратный ток утечки затвор-исток | 100nA at VGS=20V |
| Output capacitance vds 120v | 170pF typ at VDS=-120V |
| Pulsed source diode current | -110A |
| Длительный ток стока 25°C | -27A |
| Drain source leakage current | -25µA at VDS=-120V |
| Effective output capacitance | 340pF typ at VDS=0 to -120V |
| Обратная проходная емкость | 89pF typ at VDS=-25V |
| Thermal resistance case sink | 0.50°C/W typ |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, P-channel, 150 V, 27 A |
| Непрерывный ток стока 100°C | -19A |
| Энергия одиноч. импульса | 210mJ max |
| Напряжение пробоя сток-исток | -150V |
| Continuous source diode current | -27A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.61°C/W max |
| Drain source leakage current 150c | -250µA at VDS=-120V, TJ=150°C |
| Static drain source on resistance | 120mΩ typ, 150mΩ max at VGS=-10V, ID=-16A |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.17V/°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?