Документация
Транзистор полевой IRF610PBF
У поставщика
У поставщиков
887 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:887 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 59,20 |
| от 37 | 54,50 |
| от 100 | 50,66 |
| от 150 | 47,77 |
| от 300 | 45,62 |
Описание
Полевой транзистор IRF610PBF от Vishay — это MOSFET с изолированным затвором. Работает при напряжении до 200 В и токе до 3,3 А, имеет низкое сопротивление канала 1,5 Ом. Выпускается в корпусе TO-220. Подходит для импульсных блоков питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | TO-220AB |
| FET Type | N-Channel |
| Тип монтажа | Выводной |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Время спада | 8.9ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 17ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Артикул | IRF610PBF |
| Channel type | N-Channel |
| Без галогенов | Нет |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Body diode voltage | 2.0V @ Is=3.3A, Vgs=0V |
| Время задержки включения | 8.2ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Время задержки выключения | 14ns |
| Импульсный ток стока | 10A |
| Total gate charge qg | 8.2nC |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Gate drain charge qgd | 4.5nC |
| Gate input resistance | 2.3Ω to 10.2Ω |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| Gate source charge qgs | 1.8nC |
| Input capacitance ciss | 140pF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.29W/°C |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Output capacitance coss | 53pF |
| Continuous drain current | 3.3A @ Tc=25°C, 2.1A @ Tc=100°C |
| Drain source voltage vds | 200V |
| Прямая крутизна | 0.8S min @ Vds=50V, Id=2.0A |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Maximum power dissipation | 36W @ Tc=25°C |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Энергия лавины | 3.6mJ |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Pulsed diode forward current | 10A |
| Repetitive avalanche current | 3.3A |
| Gate threshold voltage vgs th | 2.0V to 4.0V |
| Энергия одиноч. импульса | 64mJ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Case to sink thermal resistance | 0.50°C/W typ |
| Zero gate voltage drain current | 25μA @ Vds=200V, Vgs=0V; 250μA @ Vds=160V, Tj=125°C |
| Body diode reverse recovery time | 150ns typ, 310ns max |
| Reverse transfer capacitance crss | 15pF |
| Body diode reverse recovery charge | 0.60μC typ, 1.4μC max |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 3.5°C/W max |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Continuous source drain diode current | 3.3A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W max |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain source on state resistance rds on | 1.5Ω @ Vgs=10V, Id=2.0A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?