+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Транзистор полевой IRF610PBF

Артикул:131131
У поставщика
ПроизводительVishay
Ед. изм.шт
У поставщиков
1 023 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 023 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 153,71
от 3749,44
от 10045,95
от 15043,34
от 30041,39
Описание

Полевой транзистор IRF610PBF от Vishay — это MOSFET с изолированным затвором. Работает при напряжении до 200 В и токе до 3,3 А, имеет низкое сопротивление канала 1,5 Ом. Выпускается в корпусе TO-220. Подходит для импульсных блоков питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.

Технические характеристики
Типполевые (FETs, MOSFETs)
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
ОписаниеMOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max)36W (Tc)
Supplier Device PackageTO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.3A (Tc)