Документация
Транзисторы / Транзисторы смд / Транзистор IRF5803TRPBF / TSOP6
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
10 945 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:10 546 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 32 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 21,69 |
| от 159 | 19,69 |
| от 318 | 18,10 |
| от 636 | 16,73 |
| от 1 272 | 15,82 |
Склад 14
В наличии:399 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 21,15 |
Описание
Транзистор IRF5803TRPBF производства Infineon представляет собой мощный P-канальный MOSFET в компактном корпусе TSOP-6. Компонент оптимизирован для коммутации нагрузок с низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает минимальные потери мощности. Применяется в цепях управления питанием портативных устройств, DC/DC-преобразователях и схемах защиты от переполюсовки.
Технические характеристики
| GFS | 4.0S |
| Тип | MOSFET |
| P d 25c | 2.0W |
| P d 70c | 1.3W |
| Корпус | TSOP-6 |
| Упаковка | Tape and Reel |
| Qgd max | 5.3nC |
| Qgd тип. | 3.5nC |
| Qgs max | 6.8nC |
| Qgs тип. | 4.5nC |
| T f typ | 50ns |
| T r typ | 550ns |
| Тип. Ciss | 1110pF |
| Coss тип. | 93pF |
| Тип. Crss | 73pF |
| Тип монтажа | SMD |
| Q rr max | 50nC |
| Q rr typ | 34nC |
| T rr max | 40ns |
| T rr typ | 27ns |
| V gs max | ±20V |
| I dss max | -10µA |
| Без свинца | Да |
| T stg max | +150°C |
| T stg min | -55°C |
| V dss max | -40V |
| I d pulsed | -27A |
| T d on typ | 43ns |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| Описание | P-Channel HEXFET Power MOSFET |
| I sm pulsed | -27A |
| Артикул | IRF5803TRPBF |
| R th ja max | 62.5°C/W |
| T d off typ | 88ns |
| V gs th max | -3.0V |
| V gs th min | -1.0V |
| Channel type | P-Channel |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Infineon / International Rectifier |
| Qg total max | 37nC |
| Тип. полный заряд затвора | 25nC |
| I dss max 150c | -25µA |
| I s continuous | -2.0A |
| R ds on vgs 10v | 112mΩ |
| Base part number | IRF5803PbF |
| R ds on vgs 4 5v | 190mΩ |
| I gss forward max | -100nA |
| I gss reverse max | 100nA |
| Кол-во на катушке | 3000 |
| T j operating max | +150°C |
| T j operating min | -55°C |
| I d continuous 25c | -3.4A |
| I d continuous 70c | -2.7A |
| V sd diode forward | -1.2V |
| Коэффициент снижения мощности | 16mW/°C |
| Capacitance test frequency | 100kHz |
| Dv dt breakdown temp coeff | -0.03V/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?