Транзисторы и сборки MOSFET IRF5803
У поставщика
ПроизводительEVVO
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 959 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:1 959 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,32 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) IRF5803 от производителя EVVO — компактный ключевой компонент для поверхностного монтажа. Применяется в схемах коммутации нагрузки, импульсных источниках питания и цепях управления. Отличается малым сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения, что обеспечивает низкие потери в работе.
Технические характеристики
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Описание | MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3.4A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Тип | MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?