Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 0.9А 2Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
3 699 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 699 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 28,90 |
| от 115 | 26,48 |
| от 230 | 24,55 |
| от 459 | 22,89 |
| от 918 | 21,77 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Infineon. Компонент рассчитан на напряжение 150 В, ток до 0.9 А и мощность 2 Вт, выпускается в компактном корпусе TSOP-6. Подходит для применения в импульсных источниках питания и цепях управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Is | -2.0A |
| Qg | 11.4nC |
| Tf | 14ns |
| Tr | 11ns |
| Eas | 20.6mJ |
| GFS | 3.5S |
| Ism | -32A |
| Заряд затвор-сток | 2.2nC |
| Заряд затвор-исток | 2.3nC |
| Заряд обратного восстановления | 16nC |
| TRR | 19ns |
| Vds | -30V |
| Vgs | ±20V |
| Vsd | -1.2V |
| Ciss | 535pF |
| Coss | 94pF |
| Crss | 68pF |
| Idss | -1.0µA |
| RthJA | 62.5°C/W |
| Td(вкл) | 11.4ns |
| Рассеиваемая мощность при 25°C | 2.0W |
| Pd 70c | 1.3W |
| Td(выкл) | 24ns |
| Vgs th | -1.0V |
| Корпус | TSOP-6 |
| Tj tstg | -55 to +150°C |
| Vbr dss | -30V |
| Idss 70c | -5.0µA |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | -32A |
| Кол-во выводов | 6 |
| Rds on 10v | 0.085Ω |
| Описание | P-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRF5800 |
| Rds on 4 5v | 0.150Ω |
| Dvbr dss dtj | 0.02 V/°C |
| Igss forward | -100nA |
| Igss reverse | 100nA |
| Ток стока непрерывный 25C | -4.0A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -3.2A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.016 W/°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 150 V, 0.9 A, 2 W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?