Документация
Описание
Силовой N-канальный MOSFET-транзистор IRF540ZPBF в корпусе TO-220AB. Рассчитан на напряжение сток-исток до 100 В и постоянный ток до 36 А при рассеиваемой мощности 92 Вт. Отличается быстрым переключением (время нарастания 51 нс, спада — 39 нс). Применяется в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и цепях управления двигателями.
Технические характеристики
| Тип | N-channel HEXFET Power MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип. время спада | 39ns |
| Тип. время нарастания | 51ns |
| Current pulsed | 140A |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Лавинный ток | See Fig 12a,12b,15,16 |
| Рассеиваемая мощность | 92W |
| Transconductance typ | 36S |
| Voltage drain source | 100V |
| Gate charge total max | 63nC |
| Gate charge total typ | 42nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 15nC |
| Тип. входная емкость | 1770pF |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Current continuous 25c | 36A |
| Тип. заряд затвор-исток | 9.7nC |
| Время задержки вкл. тип. | 15ns |
| Current continuous 100c | 25A |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 43ns |
| Gate leakage current max | 200nA |
| Gate leakage reverse max | -200nA |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Drain leakage current max | 20µA |
| Output capacitance typ 1v | 730pF |
| Макс. время обрат. восстановления | 50ns |
| Тип. время восст. | 33ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Output capacitance typ 25v | 180pF |
| Output capacitance typ 80v | 110pF |
| Диап. раб. темп. | -55 to +175°C |
| Reverse recovery charge max | 62nC |
| Тип. заряд восст. | 41nC |
| Source drain pulsed current | 140A |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Avalanche energy single tested | 120mJ |
| Drain leakage current 125c max | 250µA |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| Resistance drain source on max | 26.5mΩ |
| Resistance drain source on typ | 21mΩ |
| Source drain continuous current | 36A |
| Обр. проходная емкость тип. | 100pF |
| Thermal resistance case sink typ | 0.50°C/W |
| Thermal resistance junction case max | 1.64°C/W |
| Thermal resistance junction ambient max | 62°C/W |
| Avalanche energy single thermally limited | 83mJ |
| Thermal resistance junction ambient pcb max | 40°C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient typ | 0.093V/°C |
| Мощность, Вт | 92 |
| Тип транзистора | N-channel HEXFET Power MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?