Документация
Силовой транзистор IRF540ZPBF
У поставщика
У поставщиков
1 871 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 871 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 127,49 |
| от 34 | 119,52 |
| от 100 | 113,18 |
| от 150 | 107,63 |
| от 300 | 103,88 |
Описание
Силовой MOSFET-транзистор IRF540ZPBF от Infineon. Работает при напряжении до 100 В и токе до 36 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Выполнен в корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания, преобразователей напряжения и схем управления двигателями в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| GFS | 36S |
| I s | 36A |
| L d | 4.5nH |
| L s | 7.5nH |
| Q g | 42nC typ, 63nC max |
| T f | 39ns |
| T r | 51ns |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| I sm | 140A |
| Q gd | 15nC |
| Q gs | 9.7nC |
| Q rr | 41nC typ, 62nC max |
| T on | negligible |
| T rr | 33ns typ, 50ns max |
| V gs | ±20V |
| V sd | 1.3V |
| C iss | 1770pF |
| C oss | 180pF |
| C rss | 100pF |
| I dss | 20µA |
| T stg | -55 to +175°C |
| V dss | 100V |
| Серия | IRF540Z |
| T d on | 15ns |
| P d 25c | 92W |
| R ds on | 26.5mΩ |
| R th cs | 0.50°C/W |
| R th ja | 62°C/W |
| R th jc | 1.64°C/W |
| T d off | 43ns |
| V gs th | 2.0V to 4.0V |
| Особенности | Ultra Low On-Resistance, Fast Switching, Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax |
| Тип монтажа | Выводной |
| V(BR)DSS | 100V |
| C oss eff | 170pF |
| I dss 125c | 250µA |
| Технология | HEXFET Advanced Process Technology |
| Описание | AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET |
| E as tested | 120mJ |
| I dm pulsed | 140A |
| Артикул | IRF540ZPBF |
| R ds on max | 26.5mΩ |
| R ds on typ | 21mΩ |
| R th ja pcb | 40°C/W |
| C oss vds 1v | 730pF |
| C oss vds 80v | 110pF |
| I gss forward | 200nA |
| I gss reverse | -200nA |
| T j operating | -55 to +175°C |
| Dv br dss dt j | 0.093V/°C |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Варианты корпуса | TO-220AB, D2Pak, TO-262 |
| I d continuous 25c | 36A |
| I d continuous 100c | 25A |
| Раб. температура | 175°C |
| Температура пайки | 300°C for 10s (1.6mm from case) |
| E as thermally limited | 83mJ |
| Коэффициент снижения мощности | 0.61W/°C |
| Корпус | TO-220AB |
Заметили ошибку в описании или параметрах?