Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A TO-262
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 209,82 |
| от 12 | 196,60 |
| от 23 | 185,84 |
| от 50 | 177,82 |
| от 100 | 171,86 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Infineon. Работает при напряжении до 100 В и выдерживает ток до 36 А. Выпускается в корпусе TO-262. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-262 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | N-Channel |
| Время спада | 39ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 51ns |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| Voltage dss | 100V |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1N·m) |
| Лавинный ток | See Fig. 12a, 12b, 15, 16 |
| Заряд сток-затвор | 15nC |
| Вх. емкость | 1770pF |
| Полный заряд затвора | 63nC |
| Заряд затвор-исток | 9.7nC |
| Выходная емкость | 180pF |
| Время задержки включения | 15ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 43ns |
| Импульсный ток стока | 140A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Мощн. рас. 25°C | 92W |
| Pulsed source current | 140A |
| Время обратного восстановления | 50ns |
| Gate threshold voltage | 2.0V to 4.0V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.61W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 62nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 36S |
| Continuous source current | 36A |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Output capacitance vds 1v | 730pF |
| Soldering temperature 10s | 300°C (1.6mm from case) |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Output capacitance vds 80v | 110pF |
| Gate source forward leakage | 200nA |
| Gate source reverse leakage | -200nA |
| Энергия лавины | см. технический паспорт |
| Длительный ток стока 25°C | 36A |
| Drain source leakage current | 20µA |
| Effective output capacitance | 170pF |
| Обратная проходная емкость | 100pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 36A TO-262 |
| Непрерывный ток стока 100°C | 25A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50°C/W |
| Drain source leakage current 125c | 250µA |
| Static drain source on resistance | 26.5mΩ |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.093V/°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.64°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Single pulse avalanche energy tested | 120mJ |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Single pulse avalanche energy thermally limited | 83mJ |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?