Документация
Транзистор полевой IRF540STRLPBF
У поставщика
У поставщиков
81 шт.
Норм. уп.: 800
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:81 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 321,32 |
| от 8 | 302,65 |
| от 15 | 287,42 |
| от 29 | 276,10 |
| от 57 | 267,69 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET от Vishay в поверхностном монтаже (корпус D2PAK / TO-263). Выдерживает напряжение сток-исток до 100 В и импульсный ток до 110 А при рассеиваемой мощности 150 Вт. Подходит для импульсных источников питания и силовых цепей промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Серия | IRF540S, SiHF540S |
| Корпус | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 43ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 44ns |
| Технология | Third generation Power MOSFET |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Тип устройства | N-Channel MOSFET |
| Артикул | IRF540STRLPBF |
| Channel type | N-Channel |
| Fall time tf | 43ns |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Rise time tr | 44ns |
| Конфигурация | Single |
| Surface mount | Да |
| Лента и катушка | Да |
| Fast switching | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Лавинный ток | 28A |
| Заряд сток-затвор | 32nC |
| Вх. емкость | 1700pF |
| Полный заряд затвора | 72nC |
| Заряд затвор-исток | 11nC |
| Выходная емкость | 560pF |
| Время задержки включения | 11ns |
| Dynamic dvdt rating | Да |
| Ease of paralleling | Да |
| Темп. хранения | -55 to +175°C |
| Время задержки выключения | 53ns |
| Diode recovery dv dt | 5.5V/ns |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Импульсный ток стока | 110A |
| Total gate charge qg | 72nC |
| Avalanche current iar | 28A |
| Gate drain charge qgd | 32nC |
| Мощн. рас. 25°C | 150W |
| Body diode voltage vsd | 2.5V |
| Gate source charge qgs | 11nC |
| Input capacitance ciss | 1700pF |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0W/°C |
| Power dissipation case | 150W |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Output capacitance coss | 560pF |
| Drain source voltage vds | 100V |
| Прямая крутизна | 8.7S |
| Forward turn on time ton | negligible |
| Gate source leakage igss | ±100nA |
| Peak diode recovery dvdt | 5.5V/ns |
| Pulsed drain current idm | 110A |
| Turn on delay time td on | 11ns |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Drain source on resistance | 0.077Ω |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Repetitive avalanche rated | Да |
| Пиковая температура пайки | 300°C for 10s |
| Turn off delay time td off | 53ns |
| Power dissipation pcb mount | 3.7W |
| Энергия лавины | 15mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 28A |
| Forward transconductance gfs | 8.7S |
| Internal drain inductance ld | 4.5nH |
| Обратная проходная емкость | 120pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | 20A |
| Internal source inductance ls | 7.5nH |
| Энергия одиноч. импульса | 230mJ |
| Body diode forward voltage max | 2.5V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Vbrdss temperature coefficient | 0.13V/°C |
| Continuous drain current id 25c | 28A |
| Power dissipation pcb mount 25c | 3.7W |
| Repetitive avalanche energy ear | 15mJ |
| Body diode reverse recovery time | 180ns |
| Continuous drain current id 100c | 20A |
| Linear derating factor pcb mount | 0.025W/°C |
| Pulsed diode forward current ism | 110A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.0°C/W |
| Drain source on resistance rds on | 0.077Ω |
| Reverse transfer capacitance crss | 120pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 230mJ |
| Body diode reverse recovery charge | 1.3μC |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.0°C/W |
| Body diode reverse recovery time trr | 180 to 360ns |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | 100V |
| Body diode reverse recovery charge qrr | 1.3 to 2.8µC |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Gate source threshold voltage vgsth max | 4.0V |
| Gate source threshold voltage vgsth min | 2.0V |
| Continuous source drain diode current is | 28A |
| Zero gate voltage drain current idss 25c | 25µA |
| Zero gate voltage drain current idss 150c | 250µA |
| Thermal resistance junction to ambient pcb | 40°C/W |
| Thermal resistance junction ambient pcb mount | 40°C/W |
| Напряжение, В | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?